本发明属于量子点发光二极管技术领域，具体涉及一种基于掺杂连接层的溶液加工串联量子点发光二极管及其制作方法，所述串联量子点发光二极管基于所述制作方法制作，包括底部器件和顶端器件，所述底部器件包括从下往上依次层叠设置的阴极、第一电子注入层、第一量子点发光层、第一空穴传输层和第一空穴注入层，所述顶端器件包括从下往上依次层叠设置的第二电子注入层、第二量子点发光层、第二空穴传输层、第二空穴注入层和阳极，所述底部器件的第一空穴注入层与顶端器件的第二电子注入层层叠设置，所述第一空穴注入层采用PEDOT:PSS‑GO溶液制成，所述第二电子注入层采用含有ZnMgO的溶液制成。本发明提出了一种提高溶液加工量子点发光二极管性能的有效方法。
📄 202011146881X
📂 H01L51_50
👤 西南大学
📅 2020-10-23
本发明公开了基于银纳米立方的溶液有机发光二极管，包括顺序层叠的阳极、空穴传输层、包含银纳米立方的发光层、电子传输层、以及阴极。本发明还公开了一种基于银纳米立方的溶液有机发光二极管的制备方法：先将ITO玻璃基底彻底清洗，再旋涂制备空穴传输层、包含银纳米立方的发光层，然后在真空中蒸镀依次制备电子传输层及金属电极。本发明的优点是：将银纳米立方分散在发光层中，利用银纳米立方的等离子体共振效应，有效的提高了有机发光二极管的发光效率，制备方法简单易行，具有潜在的应用价值。
📄 2018111119385
📂 H01L51_50
👤 南京邮电大学
📅 2018-09-21
本发明公开了一种基于双发光层的钙钛矿发光二极管，包括由下向上依次顺序层叠的氧化铟锡玻璃基底、空穴传输层、钙钛矿发光层、钙钛矿量子点发光层、电子传输层、电子注入层以及金属阴极。本发明的优点是：钙钛矿发光二极管的制备成本低且器件性能提升明显。
📄 201910400329X
📂 H01L51_50
👤 南京邮电大学
📅 2019-05-14
本发明公开了一种白光有机发光二极管及其制备方法，所述白光有机发光二极管包括：从下往上依次层叠设置的ITO玻璃基底、空穴传输层、纳米粒子层、白光发光层、电子传输层以及复合金属阴极层，所述纳米粒子层由二氧化硅包裹后的银钠米立方和二氧化硅纳米球混合构成。相较于现有技术，本发明通过引入二氧化硅包裹后的银钠米立方和二氧化硅纳米球，使得白光有机发光二极管的性能得到了有效提升，具有潜在的应用价值。
📄 2019100439990
📂 H01L51_50
👤 南京邮电大学
📅 2019-01-17
本发明涉及柔性材料的制备方法，针对普通甲壳素几乎不吸附镧系金属氧化物的问题，提供了用口虾蛄隔膜制备能吸附镧氧化物的柔性基底材料的方法，先将干燥的口虾蛄隔膜粉碎成微纳米级隔膜粉，再将隔膜粉加入到氨基三乙酸溶液中，加入N,N-二甲基苯胺、过硫酸钾和过氧化氢，密封，常温连续搅拌，产物过滤，滤渣用水洗至中性，真空干燥。滤渣转入醋酸溶液，超声处理后离心，取上清液，蒸干水分，获得柔性基底材料。本发明对甲壳素进行改性处理使甲壳素添加了大量氨基和羧基官能团，用该改性甲壳素制得的柔性基底材料对镧氧化物的吸附能力大幅提高，为该柔性基底材料在含有镧系金属氧化物的AMOLED等柔性屏中的开发应用提供了有力支撑。
📄 201910636777X
📂 H01L51_50
👤 浙江海洋大学
📅 2019-07-15
本发明公开一种具有NP型复合空穴注入层的磷光有机发光二极管及其制备方法，属于有机电致发光器件技术领域。所述有机发光二极管自下而上依次为基底层、空穴注入层、空穴传输层、超薄发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；所述空穴注入层为NP型复合空穴注入层，包括N型半导体材料C60层和P型半导体材料MoO3层；所述超薄发光层的材料为磷光有机材料；本发明的有机发光二极管及其制备方法，其通过引入C60/MoO3复合结构作为空穴注入层，提高了器件的空穴注入能力，减小了阳极层和发光层之间的能级势垒，降低了驱动电压，从而提高了器件的发光效率；同时，所述有机发光二极管采用非掺杂结构，可以简化制备工艺，可重复性强，易于实现规模化生产。
📄 2019104011741
📂 H01L51_50
👤 吉林师范大学
📅 2019-05-15
本发明公开了一种硅基发光二极管的制备方法，属于光电材料与器件技术领域，所述硅基发光二极管从下至上依次为氧化硅片衬底，Au薄膜阳极，PEDOT：PSS空穴传输层，PVP下界面修饰层，准二维钙钛矿BA2Csn‑1PbBr3n+1发光层，PS上界面钝化层，Bphen电子传输层，半透明Ag薄膜阴极。本发明采用具有绝缘特性的超薄高分子聚合物层有效降低了准二维钙钛矿层的激子发光淬灭；利用高反射率Au底电极和半透明Ag顶电极形成微腔结构增强上表面光输出耦合，通过低成本溶液法在硅基上直接制备了高稳定性的钙钛矿发光二极管，同时也避免了传统硅基异质集成中直接外延生长和晶片键合等复杂工艺，为硅基片上光互联、单片集成光电芯片等应用提供了可行性方案。
📄 2020114210250
📂 H01L51_50
👤 电子科技大学
📅 2020-12-08
本发明公开了一种硅基高速钙钛矿光源，包括依次层叠的硅基层、金电极层、空穴传输层、甲基‑铯铅溴钙钛矿层、电子传输层、半透明银电极层；所述甲基‑铯铅溴钙钛矿层制备时加入甲基溴化铵。本发明的硅基高速钙钛矿光源能降低铯铅溴钙钛矿光源的发光淬灭以及在高电流密度下的外量子荧光效率抖降，提高器件可调制的电流密度区间和有效调制带宽范围。
📄 2022101711715
📂 H01L51_50
👤 电子科技大学
📅 2022-02-23
本发明涉及一种基于CdTe/CdS量子点的发光二极管，从下至上依次包括Au电极、P‑Si衬底层、Si纳米线层、空穴传输层PVK、CdTe/CdS量子点/POSS纳米复合膜层、Au纳米棒层、ZnO电子传输层以及ITO电极。本发明采用POSS作为溶液添加剂，同时也作为CdTe/CdS QDs与ZnO之间的空穴阻挡层，维持量子点的荧光，提高成膜质量，进而提高器件性能。本发明采用P‑Si为衬底，以其作为空穴注入层，有利于实现大面积的光电集成。把不同长径比的金纳米棒嵌入P‑Si/PVK/CdTe/CdS QDs/POSS/ZnO结构的QLED中，利用金纳米棒表面的局域表面等离激元与发光二极管电致发光的相互耦合作用，能够明显提升器件的性能。
📄 2018106594444
📂 H01L51_50
👤 江门市鹏博科技服务有限公司
📅 2018-06-22
本发明提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括依次层叠的导电阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述空穴注入层的材质为聚3，4‑二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸盐的混合物，所述空穴传输层具有纳米网状结构，所述纳米网状结构的孔径为100nm～150nm。本发明提供的有机电致发光器件通过制备及除去偶氮类物质为材质的辅助层，增大空穴注入层与空穴传输层的接触面积，并使注入层中的聚合物与传输层中的小分子间存在一定程度的交联，有利于空穴的注入与传输，使空穴传输速率及器件的发光效率提高，制备方法简单，应用前景广阔。
📄 201610097397X
📂 H01L51_50
👤 湖州聚业孵化器有限公司
📅 2013-01-16
本发明公开了一种基于电晕放电界面修饰的量子点发光二极管及其制备方法，量子点发光二极管包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，量子点发光层与所述阳极之间设置有空穴传输层，空穴传输层与所述阳极之间设置有空穴注入层，量子点发光层与所述阴极之间设置有电子传输层，量子点发光层靠近电子传输层的表面设置有电晕放电产生的带负电离子层或带正电离子层。本发明中提出的界面调控手段可以有效钝化QDs/ZnO界面处的缺陷，从而大幅度增加低亮度下电子‑空穴的辐射复合效率。本发明提供了一种简单、经济有效，且不会使器件的制备和器件结构复杂化的新方法来平衡发光层的载流子密度从而提高QLED器件的效率。
📄 2020113724204
📂 H01L51_50
👤 河南工程学院
📅 2020-11-30
本发明公开了一种溶液加工型荧光磷光二元复合白光有机电致发光二极管器件及其制备方法。所述发光二极管中发光层通过热活化延迟荧光主体材料和双核环金属铂(III)配合物磷光客体材料混合溶液加工而成。本发明采用热活化延迟荧光敏化磷光技术，同时利用主客体间高效发光和可控的Forester能量传递，实现了宽光谱的双核环金属铂(III)配合物磷光材料和蓝色热活化延迟荧光材料的协同发光，获得了高效发光、且具有较高显色指数和色温的荧光磷光型二元复合白光有机电致发光二极管，器件的外量子效率、电流效率、功率效率分别达到11.9％、30.8cd/A和21.93lm/W。
📄 2019107389598
📂 H01L51_50
👤 常州大学
📅 2019-08-12
柿子坊 · 知识产权运营
柿子坊知识产权运营平台