本发明属于信息存储技术领域,具体涉及一种CH/Sb纳米复合多层相变薄膜材料及其制备方法和应用。CH/Sb纳米复合多层相变薄膜材料,包括CH薄膜材料和Sb薄膜材料,且CH薄膜材料和Sb薄膜材料交替排列,其中CH薄膜材料为聚乙炔;采用磁控溅射法,以CH靶和Sb靶为溅射靶材,交替沉积CH薄膜材料和Sb薄膜材料得到。本发明所得CH/Sb纳米复合多层相变薄膜材料具有较低的热导率和较高的加热效率,从而降低器件的功耗;而且具有较佳的柔性性能,可以作为柔性存储器的潜在材料,可以应用在高稳定相变存储器中。
📄 2019101465884
📂 H01L51_00
👤 江苏理工学院
📅 2019-02-27