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摘 要:本发明公开一种检测分子半导体材料中电学输运带隙的方法,通过设计一种新型的热电子晶体管,通过器件结构的设计、每一层材料的选择、制备工艺的优化赋予热电子晶体管超高的载流子能量调节能力,通过实时监控分子电子器件中载流子的输运情况测得IC‑hot‑VEB曲线,从IC‑hot‑VEB曲线读出分子半导体材料的HOMO能级和LUMO能级,通过二者之间的差值进而计算得出分子半导体的本征电学输运带隙的数值。即使不同分子半导体材料之间的带隙极小,也可以由热电子晶体管准确地分辨开来,提高了测量分子半导体材料电学输运带隙的精确度。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202210886062.1 | 专利名称: | 一种检测分子半导体材料中电学输运带隙的方法 |
申请日: | 2022-07-26 | 申请/专利权人 | 安庆师范大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 安徽省安庆市菱湖南路128号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G01R31/26搜分类 有机材料搜索 |
公开/公告日: | 2023-07-25 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN115389891B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |