发明专利已授权

一种检测分子半导体材料中电学输运带隙的方法

📄 申请号：CN202210886062.1 📄 发布日：2026/04/27

著录项目信息

申请日

2022-07-26

公开号

CN115389891B

公开日

2023-07-25

申请人

安庆师范大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G01R31_26

IPC 分类号

G01R31_26 , H10K10_40 , H10K71_70 ,

技术画像

所属领域

半导体材料半导体材料材料表征与测试有机电子学

应用场景

半导体材料检测, 有机电子器件, 材料科学研究, 有机太阳能电池, 有机场效应晶体管

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摘要

本发明公开一种检测分子半导体材料中电学输运带隙的方法，通过设计一种新型的热电子晶体管，通过器件结构的设计、每一层材料的选择、制备工艺的优化赋予热电子晶体管超高的载流子能量调节能力，通过实时监控分子电子器件中载流子的输运情况测得IC‑hot‑VEB曲线，从IC‑hot‑VEB曲线读出分子半导体材料的HOMO能级和LUMO能级，通过二者之间的差值进而计算得出分子半导体的本征电学输运带隙的数值。即使不同分子半导体材料之间的带隙极小，也可以由热电子晶体管准确地分辨开来，提高了测量分子半导体材料电学输运带隙的精确度。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230725

✅ 授权

20221213

?? 实质审查的生效：

20221125

📄 公开

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