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本发明提供一种铜锡硫(CTS)忆阻器及其制备方法，由上至下包括：Al上电极，CTS‑PMMA阻变层，FTO下电极。通过传统水热法制备得到了CTS纳米颗粒，首次将CTS与PMMA复合并应用到忆阻器领域。实验结果发现，通过将CTS与PMMA混合，得到了阻变性能好，稳定性强的忆阻器件，而且控制阻变薄膜的厚度可以优化阻变性能。该忆阻器件具有结构简单、易制备、成本低、重复性好的优点，可为研发基于硫属化合物的忆阻器及其应用提供新思路。

📄 2022103862404 📂 H01L51_40 👤 西北师范大学 📅 2022-04-13

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一种铜锡硫（CTS）忆阻器及其制备方法

2022103862404 · 西北师范大学

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