一种在InP衬底上外延生长II型GaSb/InGaAs量子点的方法

摘     要：本发明公开了一种II型GaSb/In0.53Ga0.47As量子点超晶格材料及其生长方法，该超晶格材第一层为生长在InP衬底上的In0.53Ga0.47As缓冲层，第二层为GaSb量子点，第三层为In0.53Ga0.47As缓冲层，第四层为GaSb量子点；其生长方法为先在InP衬底表面生长缓冲层后，生长4～5ML GaSb量子点，再生长缓冲层，最后再生长4～5ML GaSb量子点；本发明实现了采用MBE技术在InP衬底上以S‑K模式生长获得GaSb/In0.53Ga0.47As量子点，其形貌质量好、光学性能佳；本发明方法有效避免了As‑Sb互换，显著降低了晶格失配度和Ga原子迁移。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2020/07/10	专利权的转移	登记生效日: 2020.06.19 专利权人由陕西专壹知识产权运营有限公司变更为常熟市知识产权运营中心有限公司 地址由710000 陕西省西安市经济技术开发区凤城六路旺景国际大厦1号楼1单元10602室变更为215500 江苏省苏州市常熟市草荡路13号
  2020/06/23	专利权的转移	登记生效日: 2020.06.03 专利权人由华南师范大学变更为陕西专壹知识产权运营有限公司 地址由510630 广东省广州市天河区中山大道西55号变更为710000 陕西省西安市经济技术开发区凤城六路旺景国际大厦1号楼1单元10602室
  2016/09/21	授权
  2014/06/25	实质审查的生效	IPC(主分类): C30B 23/02 专利申请号: 201410069486.4 申请日: 2014.02.27
  2014/05/28	公开