发明专利已授权

一种在InP衬底上外延生长II型GaSb/InGaAs量子点的方法

📄 申请号：CN201410069486.4 📄 发布日：2026/08/03

著录项目信息

申请日

2014-02-27

公开号

CN103820848B

公开日

2016-09-21

申请人

华南师范大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B23_02

IPC 分类号

C30B23_02 , C30B29_52 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

量子点量子点

应用场景

光通信器件, 半导体激光器, 红外探测器, 光电子集成, 量子点光电器件

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摘要

本发明公开了一种II型GaSb/In0.53Ga0.47As量子点超晶格材料及其生长方法，该超晶格材第一层为生长在InP衬底上的In0.53Ga0.47As缓冲层，第二层为GaSb量子点，第三层为In0.53Ga0.47As缓冲层，第四层为GaSb量子点；其生长方法为先在InP衬底表面生长缓冲层后，生长4～5ML GaSb量子点，再生长缓冲层，最后再生长4～5ML GaSb量子点；本发明实现了采用MBE技术在InP衬底上以S‑K模式生长获得GaSb/In0.53Ga0.47As量子点，其形貌质量好、光学性能佳；本发明方法有效避免了As‑Sb互换，显著降低了晶格失配度和Ga原子迁移。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20200710

?? 专利权的转移：

20200623

?? 专利权的转移：

20160921

✅ 授权

20140625

?? 实质审查的生效：

20140528

📄 公开

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