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摘 要:本实用新型提供一种N型碳化硅单晶生长用坩埚,包括:导电头、盖体以及下螺纹槽,所述导电头下端设有感应加热座,所述感应加热座内侧设有保温内层,所述保温内层内侧设有石墨体,所述石墨体内侧下端设有下螺纹槽,所述石墨体内侧上端设有上螺纹槽,所述下螺纹槽内侧设有下螺纹座,所述下螺纹座内侧设有放置腔,与现有技术相比,本实用新型具有如下的有益效果:通过使用感应加热座,能够对石墨体进行感应加热,通过使用限位挡座与底座,能够对感应加热座保持夹持,从而使石墨体能够完全均匀受热,通过使用上螺纹座以及下螺纹座,能够与石墨体进行快速连接或分离。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202323223620.5 | 专利名称: | 一种N型碳化硅单晶生长用坩埚 |
申请日: | 2023-11-24 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 实用新型 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C30B23/00搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 1800.0元 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |