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专利详情
实用新型
已授权
一种N型碳化硅单晶生长用坩埚
📄 申请号:CN202323223620.5
📄 发布日:2025/11/10
著录项目信息
申请日
2023-11-24
公开号
CN221645121U
公开日
2024-09-03
申请人
合肥世纪金芯半导体有限公司
法律状态
已下证
专利类型
实用新型
主分类号
C30B23_00
IPC 分类号
C30B23_00
,
C30B29_36
,
技术画像
所属领域
晶体生长设备
晶体生长设备
碳化硅单晶生长
半导体材料
应用场景
碳化硅单晶生长, 半导体材料制备, 电力电子器件, 新能源汽车, 5G通信
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摘要
本实用新型提供一种N型碳化硅单晶生长用坩埚,包括:导电头、盖体以及下螺纹槽,所述导电头下端设有感应加热座,所述感应加热座内侧设有保温内层,所述保温内层内侧设有石墨体,所述石墨体内侧下端设有下螺纹槽,所述石墨体内侧上端设有上螺纹槽,所述下螺纹槽内侧设有下螺纹座,所述下螺纹座内侧设有放置腔,与现有技术相比,本实用新型具有如下的有益效果:通过使用感应加热座,能够对石墨体进行感应加热,通过使用限位挡座与底座,能够对感应加热座保持夹持,从而使石墨体能够完全均匀受热,通过使用上螺纹座以及下螺纹座,能够与石墨体进行快速连接或分离。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
20240903
✅ 授权
一种转子涂油装置
当前第 / 件
一种用于消除碳化硅晶体边缘环形形貌的保温装置
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C30B23_00
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