实用新型 已授权

一种N型碳化硅单晶生长用坩埚

📄 申请号:CN202323223620.5 📄 发布日:2025/11/10

著录项目信息

申请日
2023-11-24
公开号
CN221645121U
公开日
2024-09-03
申请人
合肥世纪金芯半导体有限公司
法律状态
已下证
专利类型
实用新型
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

碳化硅单晶生长, 半导体材料制备, 电力电子器件, 新能源汽车, 5G通信

摘要

本实用新型提供一种N型碳化硅单晶生长用坩埚,包括:导电头、盖体以及下螺纹槽,所述导电头下端设有感应加热座,所述感应加热座内侧设有保温内层,所述保温内层内侧设有石墨体,所述石墨体内侧下端设有下螺纹槽,所述石墨体内侧上端设有上螺纹槽,所述下螺纹槽内侧设有下螺纹座,所述下螺纹座内侧设有放置腔,与现有技术相比,本实用新型具有如下的有益效果:通过使用感应加热座,能够对石墨体进行感应加热,通过使用限位挡座与底座,能够对感应加热座保持夹持,从而使石墨体能够完全均匀受热,通过使用上螺纹座以及下螺纹座,能够与石墨体进行快速连接或分离。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

20240903
✅ 授权

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