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摘 要:一种多晶硅的提纯方法,包括以下步骤:A:将原料多晶硅研磨至粒度为36‑260μm;B:将研磨后的多晶硅在氩气保护下以5℃/min的速度从室温煅烧至1050±5℃,再以1℃/min速度继续加热至1250±5℃然后将硅在冷水中快速淬火至室温,金属硅表面出现炸纹;C:将淬火后的多晶硅在酸洗液中酸洗;然后过滤多晶硅,再用去离子水冲洗至中性,得提纯后的多晶硅。采用本方法对多晶硅结构型杂质和粘附性杂质移除率高。多晶硅酸洗后的废液可以作为化工原料循环使用,不破坏环境。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201611137128.8 | 专利名称: | 一种多晶硅的提纯方法 |
申请日: | 2016-12-12 | 申请/专利权人 | 安阳工学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 河南省安阳市高新区黄河大道西段 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C01B33/037搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2017-04-26 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN106587070A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |