一种半导体晶体生长炉

摘     要：本实用新型公开了一种半导体晶体生长炉，涉及半导体晶体生长炉技术领域。本实用新型包括生长炉本体，所述生长炉本体内部上侧的右方开设有制冷循环腔，所述制冷循环腔内壁的右侧开设有制冷片腔，所述生长炉本体内部的左方开设有电泵腔，本实用新型通过设置制冷结构，能够保证设备的循环制冷效果，避免了传统的半导体晶体生长炉内部没有循环结构，导致设备的散热性能差的问题，增加了设备的散热效果，避免了传统的设备在使用过程中，可能会发生过热现象，甚至可能损坏设备的内部结构的问题，保证了设备制造产品的质量，提高了设备的使用效率，保证了设备使用过程中的稳定性和安全性，增加了设备的使用年限，极大地提高了设备的使用效果。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2025/01/14	授权