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摘 要:一种晶界调控n型碲化铋薄膜性能的方法,涉及一种热电材料调控方法,属于新能源材料领域,本发明方法解决现有技术中晶界结构和化学性质随着温度、压力和化学势等热力学参数的变化产生不连续地变化等问题。该方法包括以下过程:第一步以商用Bi2Te3靶和Te靶为靶材,采用磁控溅射技术在加热基底上制备n型Bi2Te3薄膜。第二步以商用Sn为原料,采用蒸发技术,在n型Bi2Te3薄膜的表面镀上Sn。第三步采用保护气退火炉对镀Sn后的n型Bi2Te3在高温下退火后,随炉冷却,以获得高性能的n型Bi2Te3薄膜。本发明方法为低温发电微型器件的性能优化提供高性能、低成本、设备简单、工艺简单、操作易控、性能均匀、稳定的优化工艺方案。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810109017.9 | 专利名称: | 一种晶界调控n型碲化铋薄膜性能的方法 |
申请日: | 2018-02-05 | 申请/专利权人 | 沈阳大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 辽宁省沈阳市大东区望花南街21号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L35/34搜分类 新能源材料 热电材料搜索 |
公开/公告日: | 2021-03-30 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108447976B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |