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| 专利/申请号： | CN201810109017.9 | 专利名称： | 一种晶界调控n型碲化铋薄膜性能的方法 |
| 申请日： | 2018-02-05 | 申请/专利权人 | 沈阳大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 辽宁省沈阳市大东区望花南街21号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H01L35/34分类检索 新能源材料 热电材料专利转让搜索 |
| 公开/公告日： | 2021-03-30 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN108447976B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要：一种晶界调控n型碲化铋薄膜性能的方法，涉及一种热电材料调控方法，属于新能源材料领域，本发明方法解决现有技术中晶界结构和化学性质随着温度、压力和化学势等热力学参数的变化产生不连续地变化等问题。该方法包括以下过程：第一步以商用Bi2Te3靶和Te靶为靶材，采用磁控溅射技术在加热基底上制备n型Bi2Te3薄膜。第二步以商用Sn为原料，采用蒸发技术，在n型Bi2Te3薄膜的表面镀上Sn。第三步采用保护气退火炉对镀Sn后的n型Bi2Te3在高温下退火后，随炉冷却，以获得高性能的n型Bi2Te3薄膜。本发明方法为低温发电微型器件的性能优化提供高性能、低成本、设备简单、工艺简单、操作易控、性能均匀、稳定的优化工艺方案。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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