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摘 要:本发明公开了一种Se掺杂方钴矿热电材料的制备方法,采用熔融‑退火法制得制得Sb缺位的CoSb3‑x热电材料粉体,将该粉体进行渗硒处理,然后进行急速热压烧结,得最终产品。本发明利用渗硒工艺对方钴矿热电材料进行掺杂,较好的实现了Se元素的均匀掺杂,避免了传统方法的掺杂不均匀,之后通过急速热压烧结工艺制备出块体的Se掺杂方钴矿热电材料,该制备方法工艺简单方便、重复性好、可控性强、操作方便,可以通过控制渗硒的工艺参数来实现硒掺加量的精确控制,可用于大批量生产,产业前景良好。制备得到的Se掺杂方钴矿热电材料具有优良的热电性能,适用于大规模生产。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810553138.2 | 专利名称: | 一种Se掺杂方钴矿热电材料的制备方法 |
申请日: | 2018-06-01 | 申请/专利权人 | 济南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省济南市市中区南辛庄西路336号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L35/34搜分类 纳米材料搜索 |
公开/公告日: | 2021-07-23 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108461619B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |