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摘 要:本发明提供了一种强磁性取向高硅钢极薄带及其制备方法,属于电工钢制造领域,所述强磁性取向高硅钢极薄带包括以下质量百分比的元素:C:0.0045%~0.0060%、Si:4.5%~5.0%、Mn:0.23%~0.32%、S:0.02%~0.03%、Bi:0.03%~0.08%、Als:0.027%~0.035%、Cu:0.02%~0.03%,N:0.008%~0.010%,P<0.005%,其余为铁,其中所述Cu、S、N元素在熔炼时以含硫氮和铜的多核配位化合物的方式加入所述高硅钢;本发明通过对取向高硅钢的原料组分进行设计,采用含硫氮和铜的多核配位化合物和Bi元素作为合金抑制剂,所制得的强磁性取向高硅钢极薄带晶粒细小,组织均匀,具有高磁感应强度,低铁损的优良磁性能。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110137389.4 | 专利名称: | 一种强磁性取向高硅钢极薄带及其制备方法 |
申请日: | 2021-02-01 | 申请/专利权人 | 河北科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 河北省石家庄市裕华区裕翔街26号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C22C38/02搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2022-01-18 | 转让价格: | 35000.0元 |
公开/公告号: | CN112962028B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |