发明专利已授权

一种Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料及其制备方法和应用

📄 申请号：CN202011493415.9 📄 发布日：2026/06/30

著录项目信息

申请日

2020-12-17

公开号

CN112614936A

公开日

2021-04-06

申请人

江苏理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L45_00

IPC 分类号

H01L45_00 , C23C14_14 , C23C14_35 ,

技术画像

所属领域

薄膜材料相变存储材料纳米复合薄膜半导体存储材料薄膜材料

应用场景

相变存储器, 数据存储, 半导体集成电路, 光存储

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摘要

本发明涉及一种Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料及其制备方法和应用，由Ti金属层和Sb金属层在基层材料上交替沉积复合而成，将Ti金属层和Sb金属层作为一个交替周期；膜结构表达通式为：[Tix/Sby]a，其中x为单层Ti金属层的厚度且1nm≤x＜10nm；y为单层Sb金属层的厚度且1nm≤y＜10nm；a为Ti金属层和Sb金属层的交替周期数且2≤a＜10；x、y、a满足40nm≤(x+y)×a≤60nm，其中(x+y)×a代表所述总膜厚；采用磁控溅射法制得。本发明的Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料具有较好的热稳定性及较高的数据保持能力。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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