发明专利已授权

一种Ag/[SnS2/PMMA]/Cu低功耗阻变存储器及其制备方法

📄 申请号：CN202110556536.1 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-05-21

公开号

CN113328036A

公开日

2021-08-31

申请人

西安工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L45_00

IPC 分类号

H01L45_00 , C23C14_18 , C23C14_24 ,

技术画像

所属领域

阻变存储器阻变存储器非易失性存储器有机-无机复合材料

应用场景

数据存储, 消费电子, 物联网设备, 云计算数据中心, 人工智能硬件

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摘要

本发明涉及二维材料与器件技术领域，具体涉及一种Ag/[SnS2/PMMA]/Cu低功耗阻变存储器及其制备方法。其公开了一种水热法合成SnS2六方结构纳米片，并将其与PMMA高分子材料复合制备SnS2/PMMA薄膜，将复合薄膜作为阻变功能层材料制备106A，g耐/受[S性nS达2/到PM了M10A4，]上/C述u阻两变项参存数储在器二的维方材法料。其阻开变关存比储约器为中已达到较优水平的基础上，Set/Reset电压只有‑0.1V/0.14V，远低于现有技术制备出的RRAM,有利于其未来在可穿戴设备方面的应用，当器件从高阻转变为低阻时对应的Set电流为2.6×10‑9A，Set功率仅为3.6×10‑10W,因此器件的功耗极低。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种基于时频谱矩阵局部方差的跳频信号检测方法

当前第 / 件

湿颗粒间液桥拉伸-压缩力学性能试验仪

同领域国内专利 · IPC: (H01L45_00)

H01L45_00 覆盖1个领域

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