发明专利已授权

一种基于GeSbTe相变材料的薄膜器件

📄 申请号：CN201610962686.1 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2016-10-28

公开号

CN106374045B

公开日

2018-09-21

申请人

广东石油化工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L45_00

IPC 分类号

H01L45_00

技术画像

所属领域

相变材料相变材料相变存储技术半导体存储器件

应用场景

数据存储, 非易失性存储器, 嵌入式存储, 可擦写光存储, 存储芯片

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摘要

本发明公开了一种基于GeSbTe相变材料的薄膜器件，包括衬底层、下电极层、第一GeSbTe材料层、二硫化钼层、第二GeSbTe材料层、石墨烯层、上电极层和保护层，所述下电极层、第一GeSbTe材料层、二硫化钼层、第二GeSbTe材料层、石墨烯层、上电极层、保护层依次沉积叠加在所述衬底层上，所述第一GeSbTe材料层为离子掺杂的GeSbTe相变材料层，所述第二GeSbTe材料层为纯相的GeSbTe相变材料。本发明的基于GeSbTe相变材料的薄膜器件具有热稳定性高、一致性好、相变速度快和使用寿命长特点。

权利要求书 (12项) 说明书附图

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图1

图2

图3

法律状态时间线

一种用于高粘度油品的减压蒸馏实验装置

当前第 / 件

顾及形态精度的地形高程采样点加密方法

同领域国内专利 · IPC: (H01L45_00)

H01L45_00 覆盖1个领域

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：18 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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