发明专利已授权

一种柔性V2O5/Ge2Sb2Te5纳米多层相变薄膜材料及其制备方法

📄 申请号：CN201910146148.9 📄 发布日：2026/06/30

著录项目信息

申请日

2019-02-27

申请人

江苏理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L45_00

IPC 分类号

H01L45_00 , C23C14_35 , C23C14_08 , C23C14_06 ,

技术画像

所属领域

薄膜材料相变存储材料纳米多层薄膜薄膜制备技术薄膜材料

应用场景

相变存储器, 柔性电子, 可穿戴设备, 光存储, 半导体存储器件

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摘要

本发明涉及一种柔性V2O5/Ge2Sb2Te5纳米多层相变薄膜材料及其制备方法，本发明材料是多层复合膜结构，由V2O5层和Ge2Sb2Te5层交替沉积在柔性基层材料上，将Ge2Sb2Te5层和V2O5层作为一个交替周期，后一个交替周期的Ge2Sb2Te5层沉积在前一个交替周期的V2O5层上方。由于材料沉积在柔性基层材料上表现出较好的塑性形变特性，在柔性存储应用中有巨大潜力；在拉伸量为5.62％材料发生弯折的情况下仍具有明显的非晶态-晶态可逆相变过程及较快的相变速度、较好的热稳定性、较高的数据保持能力，适用于高温环境下的数据存储；该材料的相变性能可通过加入的V2O5层厚度以及周期数进行有效调控。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220325

✅ 授权

20190716

?? 实质审查的生效：

20190621

📄 公开

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