发明专利已授权

一种基于一级磁相变材料的电阻效应模拟人工突触的方法

📄 申请号：CN202011459906.1 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-12-11

公开号

CN112614935A

公开日

2021-04-06

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L45_00

IPC 分类号

H01L45_00 , G06N3_063 ,

技术画像

所属领域

人工突触器件人工突触器件神经形态计算磁相变材料

应用场景

类脑计算, 神经形态芯片, 人工智能硬件, 智能计算

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摘要

本发明涉及磁相变材料技术领域，尤其涉及一种基于一级磁相变材料的电阻效应模拟人工突触的方法，通过对一级磁相变材料进行温度调控或电场调控，调节其输运性能和磁电阻效应，模拟人工突触的信息传递功能；电场调控包括离子液体电压调控和铁电衬底的电场调控。本发明通过多种方法进行调节一级磁相变薄膜材料的输运特性与磁电阻效应，可以实现电阻值随着连续的温度变化而逐渐变化的忆阻行为；此外磁相变材料在磁场中磁矩的翻转可模拟突触的记忆信息传递，有效扩展了应用前景，有望代替氧化物、二维材料制作人工突触器件。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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2021104618111 · 电子科技大学

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