发明专利已授权

一种对称的GaN基HEMT结构及其制备方法

Name: 一种对称的GaN基HEMT结构及其制备方法
Brand: 南京信息工程大学
SKU: 2024114283211
Availability: InStock

📄 申请号：CN202411428321.1 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2024-10-14

公开号

CN119300441B

公开日

2025-12-09

申请人

南京信息工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10D62_40

IPC 分类号

H10D62_40 , H10D30_01 , H10D30_47 , H10D62_10 , H10D62_824 , H10D62_85 ,

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件氮化镓基半导体高电子迁移率晶体管

应用场景

5G通信, 射频功率放大器, 电力电子, 新能源汽车, 无线通信

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摘要

本发明公开了一种对称的氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)结构及其制备方法，HEMT结构包括向上晶面为非极性面的GaN层、掩膜层、GaN立体三角岛、AlxGa1‑xN层、绝缘介质层以及各功能电极。本发明利用选区外延并结合侧向外延获得立体结构的GaN岛，此GaN岛因其晶体属性自然形成左右对称的结构，基于此特点成对制备的HEMT具有原子层面的一致性，并且左右对称的半极性面AlGaN/GaN异质结能够产生浓度方便控制的二维电子气(2DEG)，实现高质量、高性能、高一致性的成对GaN基HEMT，可以应用在镜像电流源、差分放大等电路中，相较于传统器件具有更好的一致性和稳定性。

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……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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