发明专利已授权

一种二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法

📄 申请号：CN201810195135.6 📄 发布日：2026/08/10

著录项目信息

申请日

2018-03-09

公开号

CN108396330B

公开日

2020-06-23

申请人

三峡大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C25B11_06

IPC 分类号

C25B11_06 , C25B1_04 , C01G51_00 , C01G39_06 , B82Y40_00 , B82Y30_00 ,

技术画像

所属领域

二硫化钼纳米材料制备电化学储能催化材料二硫化钼

应用场景

超级电容器;锂离子电池;电催化析氢;传感器

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摘要

本发明提供一种二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极的制备方法，将生长有四氧化三钴阵列的基底，于Ar+S气氛中或N2+S气氛中第一次硫化，获得硫化钴纳米针阵列电极；将氯化钼溶于挥发非水溶剂，并涂布到硫化钴纳米针阵列电极表面，干燥待用；再将步样品放在Ar+S气氛中或N2+S气氛中，经第二次硫化，随炉冷却取出即可得到二硫化钼纳米片@硫化钴纳米针原位阵列电极。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20200623

✅ 授权

20180907

?? 实质审查的生效：

20180814

📄 公开

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