发明专利已授权

一种垂直生长的二硫化钼阵列电极材料及其制备方法

📄 申请号：CN201711341671.4 📄 发布日：2026/08/10

著录项目信息

申请日

2017-12-14

公开号

CN108217729B

公开日

2019-09-24

申请人

三峡大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01G39_06

IPC 分类号

C01G39_06 , B82Y30_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

二硫化钼纳米材料电化学新能源催化电极材料二硫化钼

应用场景

超级电容器；锂离子电池；电催化析氢；传感器

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摘要

本发明提供一种垂直生长的二硫化钼阵列电极材料，其特征在于，所述的二硫化钼为纳米片状结构，所述的电极材料中，二硫化钼垂直生长于基底上。其具体制备方法是在室温下，将氯化钼溶于乙醇，再加入添加剂，得到前躯液；将上述前躯液滴涂或旋涂到基底上，70~100℃下快速干燥，得到前驱膜；中前驱膜于Ar+S气氛中或N2+S气氛中，经500~900℃烧结10 min~4 h随炉冷却取出即可得到二硫化钼原位电极。利用500~900℃高温，让Ni源、Co源、小分子等添加剂挥发的同时，让Mo元素与S元素结合生成二硫化钼，利用蒸发流垂直于基底这一特点帮助二硫化钼塑性成垂直于基底的阵列。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20190924

✅ 授权

20180724

?? 实质审查的生效：

20180629

📄 公开

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当前第 / 件

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