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一种钴掺杂二硫化钼原位电极及其制备方法

Name: 一种钴掺杂二硫化钼原位电极及其制备方法
Brand: 三峡大学
SKU: 2017113421093
Price: 8999.0 CNY
Availability: InStock

📄 申请号：CN201711342109.3 📄 发布日：2026/10/26

著录项目信息

申请日

2017-12-14

公开号

CN108046338A

公开日

2018-05-18

申请人

三峡大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01G51_00

IPC 分类号

C01G51_00

技术画像

所属领域

二硫化钼电化学纳米材料催化剂二硫化钼

应用场景

电催化产氢；超级电容器；锂离子电池

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摘要

本发明提供一种钴掺杂二硫化钼原位电极，所述的钴掺杂二硫化钼为钴均匀替代钼所形成的钴掺杂二硫化钼，钴掺杂二硫化钼的物相为2H型二硫化钼。具体制备方法是在室温下，将氯化钼溶于乙醇溶液中，再加入金属钴盐，再加入硫脲，搅拌溶解，得到Co‑Mo‑S前躯液；将上述前躯液滴涂或旋涂到基底上，70~100℃快速干燥，得到前驱膜；将步骤二中前驱膜于氩气或氮气保护中经500~800℃烧结0.5~2 h，随炉冷却取出即可得到钴掺杂二硫化钼原位电极。本发明利用Co‑Mo‑S前驱液内Co、Mo、S原子的均匀混合性和Co‑Mo‑S乙醇前驱液易均匀成膜性；利用500~800℃高温固相反应制备钴掺杂的二硫化钼。原位Co掺杂MoS2电极生长具有相对于热解Pt电极更好的稳定性。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

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图1

图2

图3

法律状态时间线

20191025

✅ 授权

20180612

?? 实质审查的生效：

20180518

📄 公开

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