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发布日 申请号 专利名称 法律状态 类型 价格 操作
2025/04/21 2021101791185 一种基于正离子注入的增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管 复制

领域:半导体  分类: H01L29/778

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2025/02/25 2022225058340 一种耦合板HEMT器件 复制

领域:报警器  分类: H01L29/778

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2025/02/25 2022216898058 一种氮化镓高电子迁移率晶体管 复制

领域:半导体  分类: H01L29/778

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2023/09/04 202010123740X 一种具有高可靠性的氮化镓功率器件及其制备方法 复制

领域:器件 高可靠性  分类: H01L29/778

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2023/09/04 2020101237522 一种具有多场板结构的氮化镓功率器件及其制备方法 复制

领域: 器件  分类: H01L29/778

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2023/07/10 2020114092911 一种具有多指栅极高电子迁移率晶体管器件 复制

领域:电子 器件  分类: H01L29/778

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2022/07/01 2014103696946 一种增强型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管 复制

领域:L LED芯片 场效应晶体管  分类: H01L29/778

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2022/07/01 2017100200552 一种槽栅增强型MIS结构AlGaN/GaN异质结场效应晶体管 复制

领域:L LED芯片 场效应晶体管  分类: H01L29/778

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2022/07/01 2017100210963 一种槽栅增强型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管 复制

领域:L LED芯片 场效应晶体管  分类: H01L29/778

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2022/07/01 2014103698852 一种增强型MIS结构AlGaN/GaN异质结场效应晶体管 复制

领域:L LED芯片 场效应晶体管  分类: H01L29/778

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2022/07/01 2014102345209 一种AlGaN/GaN异质结场效应晶体管 复制

领域:L LED芯片 场效应晶体管  分类: H01L29/778

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