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摘 要:本发明公开了一种具有钝化层电荷补偿的新AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。这种新的晶体结构是在晶体管栅极和漏极之间的表面钝化层中注入电荷形成电荷补偿层,这些电荷存在于晶体管表面,在不影响AlGaN/GaN异质结极化效应的同时能通过电场调制效应使表面电场重新分布,产生新的电场峰,从而使得栅边缘以及漏端高电场降低,表面电场趋于均匀,击穿电压和器件可靠性相比于传统结构也就有了明显的提高与改善。另外利用电荷补偿层的电荷补偿作用,使沟道载流子浓度重新分布,可以使器件导通电阻减小,输出电流增大。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201410234520.9 | 专利名称: | 一种AlGaN/GaN异质结场效应晶体管 |
申请日: | 2014-05-29 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/778搜分类 L LED芯片 场效应晶体管搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |