一种具有多场板结构的氮化镓功率器件及其制备方法

著 录 项 目：

摘     要：本发明公开了一种具有多场板结构的氮化镓功率器件，由下而上依次设置有：衬底、成核层、缓冲层、第一插入层、第一GaN层、第二插入层、第二GaN层、AlGaN势垒层、钝化层、栅极场板、漏极场板、保护层、栅极插入层、p型GaN栅极、栅极金属、源极金属、漏极金属，位于AlGaN势垒层表面的钝化层呈间隔排列的条状，栅极场板和漏极场板分别覆盖部分钝化层且两者表面及两者之间由保护层覆盖。本发明使电场分布更加均匀，器件耐压能力增强，有效提高器件的栅极开启电压及栅极电压的稳定性，有效降低器件在大电流作用下的漏电。本发明制备方法与传统工艺完全兼容，制备难度低。

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期

  法律信息

  备注

• 申请号	专利名称	发布日期
  2018114077740	【发明】一种高速开关二极管芯片及生产工艺	2025/06/13
  2022218723128	【实用新型】一种轴向肖特基二极管芯片自动焊接装置	2025/06/12
  202011470924X	【发明】一种同时优化击穿特性和反向特性的GaNHEMT器件及其制作工艺	2025/05/21
  2019800003918	【】1T1R阻变式存储器及其制作方法、晶体管和设备	2025/05/21
  2021101791185	【发明】一种基于正离子注入的增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管	2025/04/21
  2016110512594	【发明】一种改进的结型场效应管	2025/04/11
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  2022216898058	【实用新型】一种氮化镓高电子迁移率晶体管	2025/06/26