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摘 要:本发明公开了一种具有多场板结构的氮化镓功率器件,由下而上依次设置有:衬底、成核层、缓冲层、第一插入层、第一GaN层、第二插入层、第二GaN层、AlGaN势垒层、钝化层、栅极场板、漏极场板、保护层、栅极插入层、p型GaN栅极、栅极金属、源极金属、漏极金属,位于AlGaN势垒层表面的钝化层呈间隔排列的条状,栅极场板和漏极场板分别覆盖部分钝化层且两者表面及两者之间由保护层覆盖。本发明使电场分布更加均匀,器件耐压能力增强,有效提高器件的栅极开启电压及栅极电压的稳定性,有效降低器件在大电流作用下的漏电。本发明制备方法与传统工艺完全兼容,制备难度低。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010123752.2 | 专利名称: | 一种具有多场板结构的氮化镓功率器件及其制备方法 |
申请日: | 2020-02-27 | 申请/专利权人 | 常熟理工学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省苏州市常熟市南三环路99号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/778搜分类 器件搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |