本发明适用于高压大容量直流变换器故障诊断技术领域，提供了一种面向CETDC子模块IGBT开路故障的在线诊断方法及系统，所述方法包括：构建多通道电容电压的融合表征；建立INFO算法优化的VMD自适应分解；构建复合适应度函数并约束寻优过程；建立基于包络熵统计特性的敏感模态筛选；构建敏感模态的多域特征向量并建立故障识别模型；建立可解释性分析与关键特征压缩。本发明能够在复杂工况与噪声扰动下保持高精度诊断，并通过“参数自适应分解‑敏感模态筛选‑关键特征压缩‑注意力时序识别‑可解释性验证”的闭环流程，提高在线部署的实时性、稳定性与工程可用性。
📄 2026105630236
📂 G01R31_26
👤 东北电力大学
📅 2026-04-27
本发明提供的一种高压IGBT模块实时数据同步采集系统，由数据采集模块、光纤、数据存储模块和数据传输模块组成，提供的利用该实时数据同步采集系统进行采集的方法，数据存储模块产生同步时钟信号，通过光纤传输给各数据采集模块，在同步时钟信号的控制下各数据采集模块同时进行实时数据采集，将采集的参数转化成数字信号，通过光纤传输到数据存储模块，数据存储模块将故障数据信息进行存储，数据传输模块再将存储的故障信息传输到上位机或者无线接收终端，从而解决了现有技术中不能对故障信息的存储，还实现了各采集模块间以及采集模块与存储模块间的高隔离度和各通道数据的同步采集，为后续产品的改进、故障分析提供了有力的数据。
📄 2014104524449
📂 G08C23_06
👤 西安理工大学
📅 2014-09-05
本发明公开了一种开关过程自动跟踪控制的大功率IGBT驱动电路，包括三步驱动控制模块，三步驱动控制模块分别与diC/dt检测模块、功率放大模块连接，diC/dt检测模块、功率放大模块均与IGBT连接。本发明一种开关过程自动跟踪控制的大功率IGBT驱动电路，采用以开环运算放大器为核心的三步驱动控制模块可自动跟踪IGBT开通关断过程各阶段，实现对IGBT开通关断过程的优化控制，减小其开关损耗；同时针对不同的IGBT和应用场合，通过设置外加参考电压的大小即可对实现对IGBT电流变化率diC/dt的精确控制，从而有效地保护IGBT。
📄 2015109760724
📂 H02M1_08
👤 西安理工大学
📅 2015-12-23
本发明公开了一种数字式IGBT并联主动均流方法，具体按照以下步骤：步骤1、将两只IGBT的驱动电阻设置为三种不同阻值；步骤2、分别提取两只IGBT开通时的电压值；步骤3、将步骤2的电压值分别输入两个过零比较器中；步骤4、将步骤2的电压值分别输入两个幅值比较器中；步骤5、将步骤3的结果传输给CPLD，CPLD判定两只IGBT是否同时开通；步骤6、CPLD根据步骤5的判定，调整IGBT开通时间；步骤7、将步骤4结果传输给CPLD，CPLD判定开通电流上升斜率是否相同；步骤8、CPLD调整IGBT开通电流上升斜率；步骤9、重复执行步骤2～步骤8，直至两电流上升斜率相同。本发明能够有效改善IGBT并联均流效果、提高并联IGBT使用寿命。
📄 2016101329119
📂 H02M1_088
👤 西安理工大学
📅 2016-03-09
本发明公开了一种具有双重隔离的IGBT驱动电路及控制方法。微型处理器输出的脉冲信号无法直接驱动IGBT工作。本发明的死驱模块使微型处理器产生的两路PWM脉冲信号产生死区时间，避免上下IGBT管子的同时导通；光耦隔离模块将输入端信号与输出端信号进行光电隔离，避免信号间的相互干扰；H桥推挽电路驱动模块提高脉冲的电流值，用以驱动高频变压器；变压器后级驱动模块防止尖峰电压和电流的产生，保证IGBT的正向开通电压和反向关断。本发明采用双重隔离对信号进行功率放大，在驱动IGBT的同时确保不会对控制电路造成损坏，在系统出现故障时有效保证驱动电路的安全，避免产生过大的损失及人身安全。
📄 2016102105401
📂 H02M1_092
👤 杭州电子科技大学
📅 2016-04-06
本发明公开了一种基于线性光耦隔离的MOSFET/IGBT高速驱动电路，该高速驱动电路通过在线性光耦的集电极或射极使用变阻结构电路，在光耦的输出回路上采用动态电压比较电路，提高驱动信号的传输速度和上升下降沿的陡度，从而提高驱动电路的性能。本发明具有高速驱动速度快，体积小等优点。
📄 2016107508339
📂 H03K17_567
👤 成都信息工程大学
📅 2016-08-29
一种基于SVM的IGBT芯片焊接层空洞定位方法，首先通过建立IGBT模块的电热仿真模型与SPICE电路模型，通过耦合得到场路耦合模型后将场路耦合模型中焊接层均分为多个故障区域，然后对每个故障区域分别进行空洞故障模拟并基于联合仿真计算得到IGBT芯片的影响因子，再构建故障区域编号‑影响因子数据集，以该数据集中的影响因子作为输入数据、故障区域编号作为输出数据，采用非线性能力较强的SVM算法解析输入数据与输出数据之间的映射关系，从而实现对IGBT焊接层空洞定位。本方法以关断时间、结温、集电极与发射极的压降差作为影响因子，共同判断空洞的位置，使空洞定位结果更准确。
📄 2022111439318
📂 G06F30_398
👤 三峡大学
📅 2022-09-20
本实用新型公开了一种IGBT耐压检测装置，涉及电压检测领域，该IGBT耐压检测装置，包括：变压整流滤波模块，将市电电源输入的电压变压，在经过整流滤波输出稳定的高压直流电一，输出的高压直流电一正极连接升压整流滤波模块的输出高压直流电二的负极，输出的高压直流电一负极连接IGBT电压检测模块的一端；升压整流滤波模块，将市电电源输入的电压升压后整流滤波，IGBT电压检测模块，分别检测ICBT栅极和发射极之间的电压、集电极和发射极之间的电压，与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本方案通过调节线圈的匝数，来改变输出给IGBT的电压大小，方便测量IGBT的G极和E极、C极和E极之间的电压大小，在使用IGBT时可以保证IGBT的耐压质量。
📄 2021207599461
📂 G01R31_14
👤 南京麦肯罗自动化系统有限公司
📅 2021-04-14
已申报项目
本实用新型公开了一种大功率IGBT模块的连接结构，包括印制电路板、连接端子和大功率IGBT模块，所述连接端子与所述印制电路板固定连接，所述大功率IGBT模块通过所述连接端子固定设置在所述印制电路板的下方。本实用新型将连接端子与印制电路板通过焊接工艺连接后，再将大功率IGBT模块通过紧固螺钉固定连接，从而实现大功率IGBT模块与印制电路板的电连接，该连接结构能够缩短功率线路长度，提高器件接触可靠性，简化装配过程，节约产品成本。
📄 2020228343978
📂 H01R4_32
👤 黎德(上海)电气有限公司
📅 2020-11-30
已申报项目
本发明公开了一种IGBT模块的热管理方法及存储介质，其中方法包括如下步骤：S100：根据至少一整年的风速、气温数据及IGBT模块的功率损耗模型，获取IGBT模块的基频结温数据；S200：采用循环计数方法从基频结温数据中提取低频结温数据，利用IGBT寿命模型和线性累计损伤法则计算IGBT模块的低频寿命消耗和基频寿命消耗；S300：选择低频寿命消耗和基频寿命消耗中占比更高的为重点抑制的结温波动类型，并量化分析占比更高的寿命消耗的分布规律，确定目标结温波动幅值；S400：计算需要抑制的结温波动类型的结温阈值和对应的电气参量值和热管理工作区间，调节电气参量控制IGBT模块的结温不超过结温阈值。上述技术方案的热管理方法，可以提高热管理的有效性，延长IGBT模块的寿命。
📄 2021105754683
📂 G06F30_20
👤 河海大学
📅 2021-05-26
本实用新型公开一种高功率密度IGBT模块的双面水冷散热封装结构，包括风机箱、对位口、第一散热板、第二散热板、散热片和散热侧板，所述散热片的两端固定有散热侧板，所述散热片的一端固定有第一散热板，所述散热片的另一端固定有第二散热板，本实用新型采用双面水冷散热封装结构，散热片通过热管能够对IGBT模块进行有效的热传导，再通过底部的风机箱吹风将散热片吸收的热量导出，为了更快散热，热管内部为真空，且填充有少量的低沸点的乙醚液体，乙醚在吸收热量后蒸发为水蒸气，从热管的一端移动到另一端，到达热管另一端后通过散热片和散热扇的散热后乙醚温度降低，重新由水蒸气变为液体，又回流到热管的另一端，这样重复能够有效加快散热效率。
📄 2021220265782
📂 H05K7_20
👤 大连德维电子科技有限公司
📅 2021-08-26
已申报项目
本实用新型涉及一种IGBT半导体器件，包括：发射极和栅极；设置于所述发射极的金属层。本实用新型在于IGBT发射极(E)表面蒸发金属银，可采用CLIP链接，实现IGBT发射极(E)焊接面积最大化，提升IGBT的正向浪涌能力，同时不改变栅极(G)金属结构。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
📄 2020231099601
📂 H01L29_417
👤 张家港意发功率半导体有限公司
📅 2020-12-22
已申报项目
柿子坊 · 知识产权运营
柿子坊知识产权运营平台