发明专利已授权

一种基于线性光耦隔离的MOSFET/IGBT高速驱动电路

📄 申请号：CN201610750833.9 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2016-08-29

公开号

CN106230414B

公开日

2023-03-24

申请人

成都信息工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H03K17_567

IPC 分类号

H03K17_567 , H03K17_687 , H03K17_78 ,

技术画像

所属领域

电力电子技术电力电子技术栅极驱动电路光电耦合隔离

应用场景

工业变频器, 开关电源, 新能源逆变器, 电动汽车电机驱动, 不间断电源

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摘要

本发明公开了一种基于线性光耦隔离的MOSFET/IGBT高速驱动电路，该高速驱动电路通过在线性光耦的集电极或射极使用变阻结构电路，在光耦的输出回路上采用动态电压比较电路，提高驱动信号的传输速度和上升下降沿的陡度，从而提高驱动电路的性能。本发明具有高速驱动速度快，体积小等优点。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230324

✅ 授权

20170111

?? 实质审查的生效：

20161214

📄 公开

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