发明专利 已授权

一种基于线性光耦隔离的MOSFET/IGBT高速驱动电路

📄 申请号:CN201610750833.9 📄 发布日:2026/07/23

著录项目信息

申请日
2016-08-29
公开号
CN106230414B
公开日
2023-03-24
申请人
成都信息工程大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

工业变频器, 开关电源, 新能源逆变器, 电动汽车电机驱动, 不间断电源

摘要

本发明公开了一种基于线性光耦隔离的MOSFET/IGBT高速驱动电路,该高速驱动电路通过在线性光耦的集电极或射极使用变阻结构电路,在光耦的输出回路上采用动态电压比较电路,提高驱动信号的传输速度和上升下降沿的陡度,从而提高驱动电路的性能。本发明具有高速驱动速度快,体积小等优点。

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这项专利是否已经下证?

是的,该专利已下证,法律状态为“已下证”,公开号: CN106230414B

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

20230324
✅ 授权
20170111
?? 实质审查的生效 :
20161214
📄 公开

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