发明专利已授权

一种具有双重隔离的IGBT驱动电路及控制方法

Name: 一种具有双重隔离的IGBT驱动电路及控制方法
Brand: 杭州电子科技大学
SKU: 2016102105401
Availability: InStock

📄 申请号：CN201610210540.1 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2016-04-06

公开号

CN105790554B

公开日

2018-02-06

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H02M1_092

IPC 分类号

H02M1_092 , H02M1_08 ,

技术画像

所属领域

控制方法电力电子技术功率半导体器件栅极驱动电路控制方法

应用场景

电机驱动, 工业变频器, 新能源汽车, 新能源发电, 储能系统

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摘要

本发明公开了一种具有双重隔离的IGBT驱动电路及控制方法。微型处理器输出的脉冲信号无法直接驱动IGBT工作。本发明的死驱模块使微型处理器产生的两路PWM脉冲信号产生死区时间，避免上下IGBT管子的同时导通；光耦隔离模块将输入端信号与输出端信号进行光电隔离，避免信号间的相互干扰；H桥推挽电路驱动模块提高脉冲的电流值，用以驱动高频变压器；变压器后级驱动模块防止尖峰电压和电流的产生，保证IGBT的正向开通电压和反向关断。本发明采用双重隔离对信号进行功率放大，在驱动IGBT的同时确保不会对控制电路造成损坏，在系统出现故障时有效保证驱动电路的安全，避免产生过大的损失及人身安全。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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