本发明公开了雪崩光电二极管及其模组的感性冲击雪崩耐受测试方法，利用微亨级电感产生的反冲电压，通过对待测对象的电源输入端注入感性冲击能量，强制待测对象进入超过其击穿电压的深度雪崩状态；在所述深度雪崩状态的持续时间内，同步触发高速相机采集待测对象的瞬态电致发光光强分布图像，并同步记录电学波形；通过并联于待测对象的钳位保护电路提供过压保护。本发明解决了现有光电器件的静态测试方法无法模拟动态感性浪涌、传统功率器件UIS测试能量过大导致微小光电器件烧毁、现有手段无法对模组内部失效点进行可视化定位、依赖人工进行失效分析无法适应大规模量产筛选等技术难题。
📄 2026104642382
📂 G01R31_26
👤 龙岩学院
📅 2026-04-09
一种用于癌细胞筛查的荧光光谱测量集成电路，由BDJ光电流提取放大电路1、光电流流向选择电路2、电流‑电压转换电路3、复位控制电路4、电压‑频率转换电路5、整形反馈电路6、占空比调节电路7组成。本发明以掩埋CMOS双PN结光电二极管(BDJ)为光传感单元，将微弱的荧光信号转换成容易测量的电信号，提取出有用的光谱信息。本发明输出端无需模数转换接口而可直接与单片机等处理器相连，可与光传感单元BDJ单片集成，实现癌细胞荧光光谱测量系统的微型化和智能化。
📄 2017103718898
📂 G01N21_64
👤 浙江工业大学
📅 2017-05-24
基于SERF原子磁力仪在生物磁场检测中的样品控温装置，包括激光生成模块、气室加热模块、温度控制模块、控温气室壳和信号接收模块；所述激光生成模块包括激光器及沿激光束光路依次设置的第一1/2波片、偏振分束器和1/4波片；温度控制模块包括泵、水冷管道、样品台和PID控制器；气室加热模块包括铷气室和加热系统，信号接收模块包括第二1/2波片、沃拉斯顿棱镜和两个光电二极管，经过铷气室后的激光束，依次通过第二1/2波片、沃拉斯顿棱镜后由两个光电二极管接收做差分放大处理后传入电脑。本发明结构简单，成本低，可检测较为微弱的磁场信号；生物活体样品可处于活性最强的温度下，实现对样品进行长时间的监测。
📄 2021104785006
📂 G01R33_032
👤 浙江工业大学
📅 2021-04-30
基于BDJ的可数字化波长检测集成电路，由光电流提取电路一、光电流提取电路二、电流支路选择电路、电流输出放大电路、电流电压转换电路、电压比较电路一、电压比较电路二、SR锁存器；掩埋CMOS双PN结光电二极管包含2个不同深度位置的PN结，且两PN结共用一个N结，即由浅PN结二极管D1和深PN结二极管D2组成，D1与D2共阴极连接；其中，深PN结D2阳极接地，输出光电流I2，浅PN结D1阳极输出光电流I1，D1与D2阴极输出两个PN结的光电流之和I1+I2；光电流提取电路一的输入端1a与浅PN结D1阳极相连，输出端与电流支路选择电路的第一输入端相连。
📄 2017102273312
📂 G01J1_44
👤 浙江工业大学
📅 2017-04-10
一种光多参量传感CMOS单片集成电路，由BDJ光电传感选择单元、电流电压线性转换电路、相关二次采样电路、差分放大输出电路、模式时序控制电路。本发明提出的光多参量传感集成电路，与掩埋CMOS双PN结光电二极管单片集成，可实现光波长和光强度参量的实时监测，具有误差小，精度高，检测范围宽，电路体积小、功耗低等优势，可广泛应用于光多参量监测的场合。
📄 2017102868421
📂 G01J1_44
👤 浙江工业大学
📅 2017-04-27
本发明公开了一种测定柑桔汁产品中酚类及其前处理的方法，分析方法包括以下步骤：选出成熟的柑桔果实，处理得到果汁，所述果汁经过前处理后得到样品待测；采用高分辨率HPLC串联紫外和荧光检测器检测待测样品；对检测结果进行定量和定性分析；所述酚类为酚酸类、类黄酮苷类、甲氧基黄酮类、香豆素类以及呋喃香豆素类化合物。本发明通过对果汁分部提取，即离心处理后的上清液进行固相萃取富集、离心沉淀进行溶剂萃取，两者合并后进一步浓缩，再通过四元梯度高效液相色谱分离技术，结合紫外光电二极管阵列和荧光检测技术，可同时对柑桔汁产品中含有的多种酚类进行定性、定量分析，并鉴定柑桔类产品是否存在混合掺假的情况。
📄 2021113643822
📂 G01N30_02
👤 西南大学
📅 2021-11-17
本发明属于检测分析技术领域，涉及一种利用高效液相色谱和自由基检测系统在线快速检测样品总抗氧化性的方法。所述高效液相色谱分析仪包括依次连接的进样器、四元梯度泵、色谱分析柱及柱温箱和光电二极管阵列 PAD检测器；所述自由基反应检测装置包括自由基反应模件、控温箱、高压泵和紫外可见光检测器，所述自由基反应模件与高效液相色谱仪相连接，所述控温箱控制自由基反应模件温度，高压泵与自由基反应模件连接，自由基反应模件与紫外可见光检测器相连接；所述色谱分析柱用C18反相色谱柱，型号为20×3.9mm，5um；所述的自由基为化学自由基；本发明方法测定过程中色谱图峰型完整、美观，无拖尾现象；测定结果准确、快速、选择性强而且灵敏度高。
📄 2014103248992
📂 G01N30_02
👤 西南大学
📅 2014-07-09
本发明公开了一种测定瞬态等离子体时空分辨辐射光谱装置，涉及光学仪器与光谱成像技术领域。一种测定瞬态等离子体时空分辨辐射光谱装置，包括采集装置、数据处理与成像模块和装置支架，所述采集装置包括八个腔体，每个腔体内依次设置有带通滤光片、光学透镜组件、硅光电二极管和光电放大器。本发明提出的一种测定瞬态等离子体时空分辨辐射光谱装置，采用八个腔体与数据采集卡组成的光谱仪装置，既可以在空间上进行多位置的元素并行检测，实现空间分辨测量，又可以通过数据采集卡的采集时间、响应时间，实现时间分辨测量，在同一位置射流截面上，使用中心波长不同的带通滤光片，随时间变化对光谱的变化进行检测，实现光谱分辨测量。
📄 2022106617851
📂 G01N21_73
👤 安徽工业大学
📅 2022-06-13
本发明涉及一种薄膜及光学元件激光损伤阈值组合测试装置及利用该装置的测试方法。由于现有测试装置和测试方法存在较大的误差、对各种薄膜材料适应性差。本发明的一种薄膜及光学元件激光损伤阈值组合测试装置，包括测试组件和处理组件，测试组件包括Nd:YAG激光器、开关档板，第一分束器、聚焦透镜、第二分束器和样片台，光电二极管阵列、会聚透镜、光电探测器件和CCD照相机等，处理组件包括计算机；测试方法包括将测试结果送采用CCD摄像显微判别法等离子体闪光法来判别不同类型薄膜样品是否发生损伤，判别标准是一项显示损伤即确定。本发明的此种结构和测试方法，使得测试误差极小且无误判发生，并且适应性和实用性强。
📄 2009102192607
📂 G01N21_88
👤 陕西莱米斯光电科技有限公司
📅 2009-12-02
本发明公开了一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管，包括P型衬底、设置于P型衬底上的N阱层及雪崩区，所述雪崩区设置于所述P型衬底和N阱之间构成PN结，在P型衬底和雪崩区之间还设置有光吸收层，所述光吸收层为设置于P型衬底层上的深N阱，所述深N阱的掺杂浓度大于P型衬底层的掺杂浓度；本发明提高了雪崩光电二极管器件的速率、频率响应和带宽。
📄 2014101228532
📂 H01L31_107
👤 南京模数智芯微电子科技有限公司
📅 2014-03-28
本发明涉及一种Ge/Si SACM结构雪崩光电二极管的等效电路模型建立方法，属于半导体光电二极管技术领域。该方法基于Ge/Si异质结特性，从器件内部的物理机理上对Ge/Si SACM-APD器件进行理论分析，从APD速率方程、噪声电流、暗电流和寄生参量四部分来建立APD的等效电路模型，包括以下步骤：1)将物理模型分解为多个部分，根据每一层结构构造载流子输运方程；2)构造对应于每一部分的子电路模块；3)互联这些子电路模块，建立等效电路模型。采用本方法可以很方便地对硅基APD器件进行模拟与设计，具有较好的应用前景。
📄 2015102046292
📂 G06F17_50
👤 重庆邮电大学
📅 2015-04-27
本发明公开了一种高速单光子雪崩二极管淬灭复位电路。现有单光子雪崩光电二极管淬灭恢复电路不能快速地完成对雪崩光电二极管的淬灭恢复功能。本发明首先利用检测器对雪崩光电二极管产生的信号进行检测，当检测器的输出信号为高电平，第二MOS管内阻升高两端电压增加，第七MOS管导通，第十MOS管截止，使得雪崩光电二极管两端的反向偏置电压快速地降低，高速地完成电路的淬灭功能；当检测器的输出信号为低电平时，第二MOS管内阻降低两端电压减少，第七MOS管截止，第十MOS管导通，使得雪崩光电二极管两端的反向偏置电压快速地增加，高速地完成电路的恢复功能，以此来完成本发明的功效。
📄 2016108524644
📂 H03K17_22
👤 杭州电子科技大学
📅 2016-09-27
柿子坊 · 知识产权运营
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