发明专利 已授权

一种高速单光子雪崩二极管淬灭复位电路

📄 申请号:CN201610852464.4 📄 发布日:2026/07/23

著录项目信息

申请日
2016-09-27
公开号
CN106411299B
公开日
2019-03-05
申请人
杭州电子科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

激光雷达, 量子通信, 生物医学成像, 光子计数, 高速光通信

摘要

本发明公开了一种高速单光子雪崩二极管淬灭复位电路。现有单光子雪崩光电二极管淬灭恢复电路不能快速地完成对雪崩光电二极管的淬灭恢复功能。本发明首先利用检测器对雪崩光电二极管产生的信号进行检测,当检测器的输出信号为高电平,第二MOS管内阻升高两端电压增加,第七MOS管导通,第十MOS管截止,使得雪崩光电二极管两端的反向偏置电压快速地降低,高速地完成电路的淬灭功能;当检测器的输出信号为低电平时,第二MOS管内阻降低两端电压减少,第七MOS管截止,第十MOS管导通,使得雪崩光电二极管两端的反向偏置电压快速地增加,高速地完成电路的恢复功能,以此来完成本发明的功效。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

20190305
✅ 授权
20170315
?? 实质审查的生效 :
20170215
📄 公开

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