发明专利 已授权

一种原位取向碳纳米管/氮化硅纳米带复合材料及其制备方法

📄 申请号:CN202310603020.7 📄 发布日:2026/09/16

著录项目信息

申请日
2023-05-25
公开号
CN116534841B
公开日
2026-01-27
申请人
陕西科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

高性能结构陶瓷, 电子封装材料, 导热界面材料, 航空航天材料, 耐磨耐高温部件

摘要

本发明提供的一种原位取向碳纳米管/氮化硅纳米带复合材料及其制备方法,包括以下步骤:将甲基三甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、乙醇、水、硝酸按照一定比例均匀混合,经过搅拌和干燥后得到硅氧烷干凝胶前驱体;通过碳热还原反应法在高温条件下生长得到氮化硅纳米材料;在高温条件下,通过浮动CVD法将乙醇、乙二胺及二茂铁的混合溶液注射到管式炉中,在氮化硅纳米带表面生长碳纳米管从而制得原位取向碳纳米管/氮化硅纳米带复合材料;本发明为提高氮化硅纳米复合材料的电磁屏蔽性能,利用浮动CVD法将碳纳米管原位生长在氮化硅纳米带材料表面,制备得到具有轻质、柔性及良好的电磁屏蔽性能的碳纳米管/氮化硅纳米带复合材料。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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