发明专利已授权

GSPL-SNST氮化硅流延素坯及制备方法

📄 申请号：CN202210563003.0 📄 发布日：2026/08/07

著录项目信息

申请日

2022-05-23

公开号

CN114800775B

公开日

2023-04-18

申请人

江苏方达正塬电子材料科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B28B1_29

IPC 分类号

B28B1_29 , B28B3_00 , C04B35_596 ,

技术画像

所属领域

氮化硅陶瓷氮化硅陶瓷流延成型工艺陶瓷基板材料

应用场景

电子封装基板, 功率半导体散热, 新能源汽车, 轨道交通

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摘要

本发明提供GSPL‑SNST氮化硅流延素坯的制备方法，包括以下步骤：利用SDPR预处理系统和/或HVCM预处理系统和/或GSPL生产线制备的GSPL‑SNCS浆料，经真空消泡、流延、烘干形成厚度为T0的第一素坯。将N层除去膜带后的第一素坯进行裁切和整齐层叠并用PET真空包装袋密封后置于等静压机中在1‑40MPa压力下静压5‑40分钟，形成由多层第一素坯融合而成的第二素坯。本发明的方法生产的第一素胚的各方面性能优于之前的素胚，用等静压机让多层素胚融合，这样就保证了，切片的时候每一块的素胚性能几乎完全一致，粗糙度比较小，且无明显分层和气孔现象。我们可以根据需要去定制所需要的厚度，不会产生浪费。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种多股加强电缆用的生产装置

当前第 / 件

一种陶瓷浆料自动化生产线

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