本实用新型公开了一种铝合金坩埚加工用的喷涂装置，属于喷涂技术领域，其技术方案要点包括喷料旋转架和喷涂装置本体，喷涂装置本体包括支撑驱动座、喷料储存箱和加热水箱，喷料储存箱位于支撑驱动座的上方，启动循环泵，将波纹管内的水输送到加热水箱内进行加热，打开加热水箱下方的连接管，将加热好的水输送到波纹管内利于喷料加热，启动搅拌电机，使搅拌轴杆进行旋转，方便喷涂料均匀受热，启动液压缸，调整喷料储存箱的高度，启动输料泵，将喷料储存箱内的喷料输送到连接腔，并经过喷头喷出，实现喷料的目的，且启动调节电控杆、伺服电机和液压缸，使喷头方便多方位进行调整，提高喷涂的质量与效率。
📄 2022200130522
📂 B05B9_04
👤 西安雷格讯电子精密制造有限公司
📅 2022-01-05
本发明提供了一种免喷涂坩埚的制备方法，包括以下步骤：S1：将氮化硅、醇系硅溶胶、陶瓷胶和纯水以一定的质量比配制成氮化硅涂层溶液；其中，所述氮化硅：醇系硅溶胶的质量比为1.5~2：1；所述氮化硅：陶瓷胶质量比为14~10：1；所述氮化硅：水的质量比为1:1~3；S2：将所述氮化硅涂层溶液利用刷涂在坩埚内表面，烘干，然后去除坩埚表面浮尘，放入干燥剂，包装，即得。本发明上述配方制备氮化硅涂层致密性好，采用二次刷涂的制备工艺替代喷涂，使得氮化硅涂层强度更为致密，氧浸入硅锭比例低，氮化硅脱落少，最终达到低硬质点、低氧铸锭的效果，具有操作简便、工业化强的优点。
📄 2019113895474
📂 C09D1_00
👤 江苏润弛太阳能材料科技有限公司
📅 2019-12-30
已申报项目
本发明提供了一种硅颗粒作为形核源的坩埚制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在坩埚表面制备高纯度石英砂涂层，且所述高纯度石英砂中SO2质量分数≥99.999%；S2：在所述高纯度石英砂涂层表面制备氮化硅涂层；S3：在所述氮化硅涂层表面制备陶瓷胶涂层；S4：在所述陶瓷胶涂层表面制备硅颗粒涂层。本发明利用高纯度硅颗粒作为形核源，铸锭过程采用同质形核方式制备了全熔高效多晶硅片，大幅降低了喷涂和铸锭工艺技术要求，获得了具有均匀细小晶花的高效硅锭，避免晶粒尺寸分布不均匀、位错密度高的问题。
📄 2019113439804
📂 C30B28_06
👤 浙江润优新材料科技有限公司
📅 2019-12-24
已申报项目
本实用新型涉及坩埚生产技术领域，且公开了一种坩埚送料系统，包括上料机钢构平台、坩埚平台以及上料机，坩埚平台位于上料机钢构平台的底部，上料机固定安装在上料机钢构平台的顶部，还包括风机和吸料桶，风机和吸料桶设置在上料机钢构平台的左侧，风机的输出端上固定安装有进气管，进气管与上料机的输入端固定连接，上料机上设置有上料管。本实用新型中，启动风机，风机为上料机的内部提供压力，使得上料机可通过进料管、上料管以及吸料管吸取吸料桶内部的原料，然后通过下料阀的控制将原料从下料口送出，在吸料的同时，通过吸料管上设置的调节机构，可调节上料时的速度以及吸料的量，从而可满足不同生产需求。
📄 2022225085776
📂 B65G53_24
👤 东莞市凌聚机械有限公司
📅 2022-09-21
已申报项目
本发明提供了一种晶体生长炉的模型构建方法和电子设备，涉及晶体生长技术领域，该方法包括：根据加热器，构建与加热器对应的第一三维图形；根据与加热器配合设置的电极以及加热器的第一中心轴线与电极的第二中心轴线之间的第一距离，构建与电极对应的第二三维图形；根据第一三维图形构建加热器对应的二维加热器模型，根据第二三维图形构建电极对应的二维电极模型；获取加热器的第一功率密度和电极的第二功率密度；将第一功率密度加载到二维加热器模型，将第二功率密度加载到二维电极模型；基于二维加热器模型和二维电极模型对晶体生长炉进行数值模拟。本发明实施例提高了对晶体生长炉进行数值模拟得到的模拟结果的准确性。
📄 2025107722308
📂 G06F30_20
👤 西安交通大学
📅 2025-06-11
本发明实施例提供了一种熔体法晶体生长的外加行波磁场控制方法，其中，本发明实施例所提供的熔体法晶体生长的外加行波磁场控制方法，先基于反映晶体生长炉内部件屏蔽作用强弱的屏蔽因子对晶体生长炉模型进行简化，再基于该简化后的晶体生长炉模型调整电流频率，能够更简便地确定出洛伦兹力与炉壁间隙、电流频率之间的关系曲线，进而可以基于该关系曲线结合实际的晶体生长炉的炉壁间隙施加使得熔体中洛伦兹力达到最大值的目标电流频率，从而实现产生同等大小的洛伦兹力所需的通入电流较小，达到控制熔体流动及节能降耗的目的。
📄 2025104950478
📂 C30B11_00
👤 西安交通大学
📅 2025-04-21
本申请公开了一种石墨坩埚和碳化硅单晶生长装置，涉及半导体技术领域。石墨坩埚包括坩埚本体，坩埚本体设有容纳腔，容纳腔用于容纳硅料，容纳腔具有沿第一方向相对的腔口和腔底，腔底朝向容纳腔内的一侧设有第一凹槽，第一凹槽用于汇集熔融硅料中的多晶颗粒。这样在使用本申请的石墨坩埚生成碳化硅单晶时，设置在容纳腔腔底的第一凹槽能够对流经的熔融硅料进行扰动，从而形成局部涡旋流动，进而能够汇集熔融硅料中的多晶颗粒，使得多晶颗粒更多地汇集在容纳腔底部，减少多晶颗粒流动至碳化硅单晶的生长界面，进而降低多晶颗粒对碳化硅单晶生成的影响，从而提高碳化硅单晶生成的质量。
📄 2025104023566
📂 C30B35_00
👤 西安交通大学
📅 2025-04-01
本申请提供了一种液相法生长碳化硅的坩埚内壁面形状确定方法和装置，涉及单晶生长技术领域，所述方法包括：获取液相法生长碳化硅系统的坩埚内壁面的形状参数以及结构信息；形状参数包括：坩埚内壁面的内径和圆角半径；建立几何模型，设置传热流动控制方程和组分输运控制方程，得到各组形状参数所对应的数值计算模型；模拟传热流动与组分输运过程，得到各个数值计算模型所对应的模拟结果；根据模拟结果，计算第一指标参数、第二指标参数和第三指标参数；第一指标参数为晶体生长速度最大不均匀率，第二指标参数为单位时间内晶体总析出量，第三指标参数为晶体生长速度标准差；根据第一、第二和第三指标参数，确定最佳形状参数。
📄 2024111319902
📂 G16C60_00
👤 西安交通大学
📅 2024-08-19
本申请提供了一种利用坩埚旋转强制驱动粘附气泡的方法，属于晶体生长技术领域，旨在为坩埚旋转驱除晶体生长过程中的气泡提供指导，所述方法包括：根据熔体和坩埚的尺寸结构参数，构建气泡运动模型；在所述气泡运动模型的坩埚的垂直壁面和倾斜壁面设置气体入口，并通过所述气泡运动模型模拟坩埚旋转驱动所述气泡运动的过程；采用多个坩埚转速分别驱动所述气泡运动模型中的熔体与不同壁面之间不同接触角的气泡，并通过控制气体的注入时间调整所述气泡的等效直径，直至所述气泡发生定向滑移运动；根据多个所述坩埚转速对应的临界滑移参数，获取坩埚旋转对每个接触角的气泡的运动的控制规律；根据所述控制规律，利用所述坩埚旋转强制驱动所述熔体中的气泡运动。
📄 2024102792263
📂 C30B35_00
👤 西安交通大学
📅 2024-03-12
本发明公开了一种增加一次投料晶锭厚度的碳化硅晶体生长方法，具体步骤包括：选定所使用的坩埚，根据实验结果和温场模拟确定该坩埚内腔填粉区域的高温区域；分别确定两种不同粒径的碳化硅粉的数量，并将其区分为大粒径碳化硅粉源和小粒径碳化硅粉源；在坩埚内腔填装碳化硅粉源，将小粒径碳化硅粉源装入高温区域中，将大粒径碳化硅粉源置于非高温区域，并在碳化硅粉源中设置石墨柱；将坩埚装入晶体生长设备中进行粉源烧结和除杂；从坩埚中取出石墨柱；进行晶体生长操作。本发明解决了现有技术中源-衬距逐渐减小影响所制备晶锭厚度的问题。
📄 201210411420X
📂 C30B23_00
👤 西安理工大学
📅 2012-10-25
本发明提供了一种自激发拉曼复合功能晶体钨钼酸铋，化学式为Bi2MoxW2‑xO9，x的取值范围在0～0.3内，属于单斜晶系，Pbcn(No.60)空间群。晶体生长方法，将Bi2O3、MoO3和WO3按照化学计量比配料，采用球磨机充分混合均匀后在压料机上压实，在300～600℃范围内进行固相烧结，合成钨钼酸铋多晶，与助熔剂按照摩尔比为1∶(0.2‑6)充分混合均匀，放入铂坩埚，升温使原料完全熔化，调温至750℃，下入铂籽晶杆并使之转动，程序降温使晶体自发结晶。钨钼酸铋晶体作为自激发拉曼晶体，可以用于激光器的制作；钨钼酸铋晶体作为闪烁晶体的应用。本晶体生长方法可以获得具有良好光学质量的钨钼酸铋厘米级单晶，方法简单，原料成本低，适合批量生产。
📄 2020112512114
📂 C30B29_32
👤 临沂大学
📅 2020-11-10
本发明涉及烧结钕铁硼熔炼技术领域，针对现有坩埚修补方法中容易引入Al等导致坩埚被刻蚀，出现凹坑或者裂纹的问题，公开一种烧结钕铁硼熔炼用坩埚的预处理方法及烧结钕铁硼的制备方法，包括清洗坩埚的表面结渣，并将坩埚表面吹扫干净；将填补料和矿粘合剂混合均匀制备涂覆料；将涂覆料在坩埚的内表面均匀的涂覆形成涂覆膜层；对坩埚和涂覆膜层加热，实现涂覆膜层干燥；所用的填补料为氧化锆、氧化铌、氧化钛粉末中的至少一种。本发明的坩埚的预处理方法可以有效的避免Al等引入，提高坩埚的使用寿命和清理坩埚的效率。同时采用本发明的方法烧纸的钕铁硼磁体的性能波动性下降，性能稳定性得到提升。
📄 202110419869X
📂 C04B41_87
👤 杭州电子科技大学
📅 2021-04-19
柿子坊 · 知识产权运营
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