发明专利已授权

一种液相法生长碳化硅的坩埚内壁面形状确定方法和装置

Name: 一种液相法生长碳化硅的坩埚内壁面形状确定方法和装置
Brand: 西安交通大学
SKU: 2024111319902
Availability: InStock

📄 申请号：CN202411131990.2 📄 发布日：2026/07/24

著录项目信息

申请日

2024-08-19

公开号

CN118658570A

公开日

2024-09-17

申请人

西安交通大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G16C60_00

IPC 分类号

G16C60_00 , G06F30_28 , C30B9_04 , C30B29_36 , G06F111_10 , G06F113_08 , G06F119_08 , G06F119_14 ,

技术画像

所属领域

碳化硅晶体生长碳化硅晶体生长液相法晶体生长坩埚热场设计

应用场景

碳化硅单晶衬底制造, 半导体功率器件, 晶体生长设备设计, 高温熔体生长工艺优化

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本申请提供了一种液相法生长碳化硅的坩埚内壁面形状确定方法和装置，涉及单晶生长技术领域，所述方法包括：获取液相法生长碳化硅系统的坩埚内壁面的形状参数以及结构信息；形状参数包括：坩埚内壁面的内径和圆角半径；建立几何模型，设置传热流动控制方程和组分输运控制方程，得到各组形状参数所对应的数值计算模型；模拟传热流动与组分输运过程，得到各个数值计算模型所对应的模拟结果；根据模拟结果，计算第一指标参数、第二指标参数和第三指标参数；第一指标参数为晶体生长速度最大不均匀率，第二指标参数为单位时间内晶体总析出量，第三指标参数为晶体生长速度标准差；根据第一、第二和第三指标参数，确定最佳形状参数。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN118658570A

购买这项专利需要经过哪些流程？

平台提供担保交易、全程代办转让手续。买家可委托平台代购，平台协助完成权属尽调、合同签署、国家知识产权局著录项目变更等流程。

该专利的转让价格是多少？

当前标价为议价，可委托平台代购或预约谈判。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种导模法生长晶体的结晶界面确定方法和装置

当前第 / 件

一种电子元器件室与变流器室通风散热结构

同领域国内专利 · IPC: (G16C60_00)

G16C60_00 覆盖1个领域

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

暂无同领域相似专利推荐

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：114 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 2657件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)