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摘 要:本发明涉及一种调节GaSb纳米线探测器响应波长的方法,该方法通过在单根GaSb纳米线两侧用电子束光刻技术制备ITO结构图形,对ITO材料两端施加电场并对电场进行调节,实现对ITO材料表面等离子体共振频率的调节,通过对ITO材料表面等离子体共振频率的调节,实现改变GaSb纳米线探测器的特征响应波长,从而实现对GaSb纳米线探测器响应波长的连续调节。本发明所提出的方法采用GaSb基纳米线作为探测器的主体,采用ITO图形结构产生表面等离子体,在ITO图形结构上下两端施加电场,通过调节电场强度对ITO材料的介电常数进行改变,进而调节ITO材料的共振频率,实现对GaSb基纳米线探测器器件特征响应波长的调节。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201811411972.4 | 专利名称: | 一种调节GaSb纳米线探测器响应波长的方法 |
申请日: | 2018-11-26 | 申请/专利权人 | 长春理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 吉林省长春市卫星路7186号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/02搜分类 探测 纳米线搜索 |
公开/公告日: | 2021-03-09 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN109585574B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |