专利名称：锡酸锑纳米线复合电子封装材料      申请号：2015105608126     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电子 包装材料 纳米线   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明公开了一种锡酸锑纳米线复合电子封装材料，属于结构材料技术领域。本发明锡酸锑纳米线复合电子封装材料的质量百分比组成如下：锡酸锑纳米线65‑80％、聚乙烯醇3‑5％、聚苯乙烯3‑5％、丙烯酸‑丙烯酸酯‑磺酸盐共聚物0.05‑0.5％、异丙醇铝3‑6％、聚偏氟乙烯7‑14％、水3‑5％，锡酸锑纳米线的直径为50nm、长度为20‑30μm。本发明提供的锡酸锑纳米线复合电子封装材料具有耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好、热膨胀系数小、导热系数高及制备温度低等特点，在电子封装领域具有良好的应用前景。

专利名称：交叉有序化银纳米线薄膜及其图案化的方法      申请号：2020100830760     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：塑料 纳米线   相似专利 发布日：2023/09/14  
摘要： 本发明提供了一种交叉有序化银纳米线薄膜及其图案化的方法，包括：(1)采用动态搅拌清洗方法对由多元醇还原法制备得到的AgNWs原液进行纯化；(2)将纯化的AgNWs分散在无水乙醇中配成浓度在0.4wt％以上的AgNW分散液；(3)PET基材经超声清洗、表面亲水化处理、PLL水溶液旋涂改性；(4)采用Meyer棒涂法得到交叉有序化银纳米线透明导电薄膜；(5)将正性光刻胶旋涂到交叉有序化银纳米线透明导电薄膜上，然后预固化、紫外曝光、显影、刻蚀、洗涤、干燥获得一定形状的导电通道。本发明能大幅度提高了棒涂法制备的AgNW TCF的有序化程度，提供的图案化方法可以提高图案的精度且不影响导电薄膜的光学性能。

专利名称：一种水热制备硼酸钐纳米线的方法      申请号：2016111357134     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：硼 纳米线   相似专利 发布日：2023/09/04  
摘要： 本发明提供了一种SmBO3纳米线的简易制备方法。主要特点是以硼砂、Sm(NO3)3为原料，在加入油酸钠修饰剂的条件下，利用水热过程，可以制备出纳米线SmBO3。主要原理：在水热过程中，阴离子表面活性剂油酸钠在Sm(NO3)3溶液中，会与Sm3+离子形成一定的配位，形成纳米氧化钐，随着反应时间的延长，在油酸钠的保护作用下，氧化钐会与溶液中的硼酸根反应生成SmBO3纳米线。该方法的特点：所得的SmBO3纳米线在红外区有多个强吸收峰，尤其在1064cm‑1波长处的吸收最强，可用作吸波材料。

专利名称：一种银纳米线复合透明导电薄膜及其制备     申请号：2017113279346     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：塑料 纳米材料 透明 纳米线   相似专利 发布日：2022/06/15