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摘 要:本发明涉及二维材料与器件技术领域,具体涉及一种Ag/[SnS2/PMMA]/Cu低功耗阻变存储器及其制备方法。其公开了一种水热法合成SnS2六方结构纳米片,并将其与PMMA高分子材料复合制备SnS2/PMMA薄膜,将复合薄膜作为阻变功能层材料制备106A,g耐/受[S性nS达2/到PM了M10A4,]上/C述u阻两变项参存数储在器二的维方材法料。其阻开变关存比储约器为中已达到较优水平的基础上,Set/Reset电压只有‑0.1V/0.14V,远低于现有技术制备出的RRAM,有利于其未来在可穿戴设备方面的应用,当器件从高阻转变为低阻时对应的Set电流为2.6×10‑9A,Set功率仅为3.6×10‑10W,因此器件的功耗极低。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110556536.1 | 专利名称: | 一种Ag/[SnS2/PMMA]/Cu低功耗阻变存储器及其制备方法 |
申请日: | 2021-05-21 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L45/00搜分类 C Sn P 低 港口 低功耗 PMM搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |