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| 专利/申请号： | CN200810249626.0 | 专利名称： | 多晶硅的还原生产工艺及其生产用还原炉 |
| 申请日： | 2008-12-25 | 申请/专利权人 | 青岛科技大学,化学工业第二设计院宁波工程有限公司 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 山东省青岛市四方区郑州路53号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | C30B29/06 分类检索 |
| 公开/公告日： | 转让价格： | 【平台担保交易】 | |
| 公开/公告号： | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 | |
| 浏览量： | 94 | 所属领域： | 工艺 硅 港口专利转让搜索 |
摘 要：一种多晶硅的还原生产工艺及其生产用还原炉。工艺包括将SiHCl3与H2混合，从底部进气口喷入从出气口排出；还原炉外壳夹套中通以冷却水；硅棒温度1050～1150℃，器内压力为0.5～0.7MPa；SiHCl3还原后的硅沉积在硅棒上等步骤。混合气体从还原炉的底部进气口喷入，从其顶部的出气口排出。还原炉包括底座、外壳、多对电极、细硅棒、进气口和出气口。外壳带有夹套，夹套上固定着进、出水口。进气口固定在底部，出气口固定在顶部封头上。它可避免上升气柱在底部的扩散，使之与硅棒充分接触。顶部不存在流体死区，硅棒上部硅沉积速度高。气体温度便于调控。加强了炉内气体湍动强化了传质，气体在炉内的停留时间长。大大提高了一次性转换率。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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