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摘 要:一种多晶硅的还原生产工艺及其生产用还原炉。工艺包括将SiHCl3与H2混合,从底部进气口喷入从出气口排出;还原炉外壳夹套中通以冷却水;硅棒温度1050~1150℃,器内压力为0.5~0.7MPa;SiHCl3还原后的硅沉积在硅棒上等步骤。混合气体从还原炉的底部进气口喷入,从其顶部的出气口排出。还原炉包括底座、外壳、多对电极、细硅棒、进气口和出气口。外壳带有夹套,夹套上固定着进、出水口。进气口固定在底部,出气口固定在顶部封头上。它可避免上升气柱在底部的扩散,使之与硅棒充分接触。顶部不存在流体死区,硅棒上部硅沉积速度高。气体温度便于调控。加强了炉内气体湍动强化了传质,气体在炉内的停留时间长。大大提高了一次性转换率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN200810249626.0 | 专利名称: | 多晶硅的还原生产工艺及其生产用还原炉 |
申请日: | 2008-12-25 | 申请/专利权人 | 青岛科技大学,化学工业第二设计院宁波工程有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省青岛市四方区郑州路53号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C30B29/06搜分类 工艺 硅 港口搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |