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摘 要:本发明公开了一种基于n型单晶Si的高效光阴极的设计方法,其特征在于,包括以下步骤:S1.提供n型单晶Si片,对n型单晶Si片的正反两面进行制绒,并对制绒面进行清洗;S2.在步骤S1制绒后的n型单晶Si片的正面制作硼掺杂的p+发射极,反面制作磷掺杂的n+发射极,然后刻蚀Si片的边缘,并进行清洗;S3.在步骤S2中硼掺杂的p+发射极面上依次沉积Al2O3和ITO薄膜层;S4.在步骤S2中磷掺杂的n+发射极面上依次沉积Al2O3薄膜层、Ti和Pt金属层。本发明基于n型单晶Si的高效光阴极的设计方法使得Si光阴极的光电流密度明显提高,具有较高的光解水效率,同时稳定性增强、使用寿命长。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810447449.0 | 专利名称: | 一种基于n型单晶Si的高效光阴极的设计方法 |
申请日: | 2018-05-11 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01J1/34搜分类 阴极 高效 单晶搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |