一种用于半导体器件的空穴传输层的制备方法

摘     要：本发明提供一种用于半导体器件的空穴传输层的制备方法，其特征在于制备步骤如下第一步：在ITO透明导电基板上通过真空热蒸镀法沉积或者旋涂法涂布主体材料，其中主体材料为NPB、a‑NPD、2‑TNATA、m‑MTDATA、TPD或Poly‑TPD；第二步：在第一步的主体材料表面通过真空热蒸镀法沉积或者旋涂法涂布客体材料，即得用于半导体器件的空穴传输层的制备方法，其中客体材料为F2‑HCNQ或F4‑TCNQ。本发明提供的制备方法使得原本需要通过共蒸掺杂的客体材料通过漂移进入主体材料中，从而达到掺杂的作用。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2018/08/03	授权
  2015/11/25	实质审查的生效	IPC(主分类): H01L 21/363 专利申请号: 201510429332.6 申请日: 2015.07.21
  2015/10/28	公开