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| 专利/申请号： | CN202123286004.5 | 专利名称： | 一种用于高空微压探测的压力传感器 |
| 申请日： | 2021-12-24 | 申请/专利权人 | |
| 专利类型： | 实用新型 | 地址： | |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | G01L9/04 分类检索 |
| 公开/公告日： | 转让价格： | 【平台担保交易】 | |
| 公开/公告号： | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 | |
| 浏览量： | 22 | 所属领域： | 传感器 压力传感专利转让搜索 |
摘 要：本实用新型公开了一种用于高空微压探测的压力传感器，SOI硅片的衬底硅经过光刻刻蚀等步骤形成应力薄膜并与底部的玻璃基座形成E型真空腔。SOI硅片的顶部器件层掺杂形成四个栅型电阻和两个PNP双极型三极管，四个栅型电阻分别作为两个三极管的基极电阻和集电极电阻，且两个三极管构成差分放大电路。电阻采用栅型纳米厚度的电阻，在梁‑岛应力增强结构中其受外部压力作用时阻值变化更明显，具有高的信噪比与灵敏性。位于上方和下方的栅型电阻受压力变化电阻阻值会上升，而位于左右两侧的栅型电阻阻值会下降，由于电阻变化而产生的电压信号输入到两个PNP三极管组成的差分放大电路，将压力引起的阻值变化信号进一步放大，从而达到高空微压测量的目的。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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