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| 专利/申请号： | CN201711264220.5 | 专利名称： | MEMS气体压力敏感元件及其制造工艺 |
| 申请日： | 2017-12-05 | 申请/专利权人 | 苏州科技大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 江苏省苏州市高新区科锐路1号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | G01L9/12 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2023-08-29 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN107830966B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 18 | 所属领域： | 机电专利转让搜索 |
摘 要：本发明公开一种MEMS气体压力敏感元件，包括衬底、电容器上极板、电容器下极板、上极板上电极和下极板上电极，所述衬底上具有一SiO2绝缘层，此SiO2绝缘层上表面具有所述电容器下极板和间隔分布的上极板导电层、下极板导电层；Si3N4绝缘薄层开有上极板导电柱通孔、上极通孔和下极通孔，一上极板导电柱下端位于上极板导电柱通孔内上极板导电柱上端与电容器上极板连接，所述上极板上电极覆盖于上极通孔底部和侧壁并与上极板下电极电接触，且上极板上电极延伸至位于上极通孔周边的Si3N4绝缘薄层区域。本发明MEMS气体压力敏感元件具有较高的测量精度和较低的功耗、机械结构稳定性好，且其体积小，成本低，与硅半导体制造工艺兼容。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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