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摘 要:本发明涉及一种绝对压力传感器芯片,包括绝对压力传感器集成在所述CMOS芯片上;所述绝对压力传感器包含压力敏感单元,所述压力敏感单元包括含有浮栅的场效应管,和嵌入了多晶硅或金属材料作栅极用以感应绝对压力变化的振动膜,所述浮栅嵌入CMOS芯片的介质层中,所述振动膜形成有空腔并被密封。所述绝对压力传感器芯片中,系在CMOS标准制造工艺的集成电路的金属导电层上制作牺牲层及可导电的振动膜,最终制成压力传感器微单元,不改变现有CMOS工艺,兼容性好。此外,还涉及一种绝对压力传感器芯片的制作方法。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201210428212.0 | 专利名称: | 一种绝对压力传感器芯片及其制作方法 |
申请日: | 2012-10-23 | 申请/专利权人 | 深圳先进技术研究院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省深圳市南山区西丽深圳大学城学苑大道1068号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G01L9/12搜分类 传感器搜索 |
公开/公告日: | 2016-11-30 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN102967407B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |