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摘 要:本实用新型公开了一种用于高空探测的微压传感器,属于传感器技术领域。该传感器包括SOI衬底硅片,所述SOI衬底硅片上刻蚀有梁‑岛应力增强结构、八个硅铝异质结构电阻和方形硅结构;所述梁‑岛应力增强结构包括四个对称连接的矩形梁和一个正方形中心岛;所述硅铝异质结构电阻设置在所述梁‑岛应力增强结构周围;所述方形硅结构中设有两个PNP三极管,八个所述硅铝异质结构电阻与两个所述PNP三极管电连接,作为两个所述PNP三极管的基极、发射极和集电极电阻,构成差分放大电路。本实用新型应力增强结构由梁‑岛结构组成,可在硅铝异质结构电阻位置上产生更高的应力,结合差分放大电路,将灵敏度提升了两个数量级,有利于50至100千米高度超微压测量。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202123348099.9 | 专利名称: | 一种用于高空探测的微压传感器 |
申请日: | 2021-12-28 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 实用新型 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G01L9/02搜分类 传感器搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |