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摘 要:本发明公开了一种具有中红外宽带光吸收特性的超导纳米线单光子探测器,其结构包括上半腔,纳米线层和下半腔共三个部分。上半腔为两层介质结构,分别为厚度为542nm硅层和厚度为624nm二氧化硅层。纳米线层为厚度为4nm、纳米线宽度为30nm的,材料为氮化铌,占空比为1/3,纳米线之间填充材料为二氧化硅,下半腔为光学谐振腔结构,由一层厚度为593nm的二氧化硅层和厚度为120nm的金反射镜组成。仿真结果显示,本发明的超导纳米线单光子探测器在3‑5μm的中红外大气窗波长范围内具有双峰耦合谐振特性,当入射光电场平行于纳米线时,在2956nm‑4828nm波长范围内均能够实现至少60%的光吸收率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010789414.2 | 专利名称: | 具有中红外宽带光吸收特性的超导纳米线单光子探测器 |
申请日: | 2020-08-07 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/09搜分类 通信网络 纳米材料 网络传输 探测 纳米线 超导搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |