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摘 要:本发明公开了一种SiC单晶片的超声辅助电化学机械抛光加工装置及方法,SiC单晶片和不锈钢电极分别与脉冲电源的正极和负极相连,在抛光液中构成闭合回路,晶片作为阳极发生阳极氧化生成一层氧化膜,在通过抛光垫和磨粒机械性地去除氧化层该方法抛光材料去除效率高,机械抛光不会对SiC单晶基材造成损失;且不会消耗大量电能,节能环保,另外本发明加工装置简单,加工方法易实现,适合大范围推广使用。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910470483.4 | 专利名称: | SiC单晶片的超声辅助电化学机械抛光加工装置及方法 |
申请日: | 2019-05-31 | 申请/专利权人 | 西安理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市碑林区金花南路5号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L21/304搜分类 化工机械 化学化工 辅助 抛光加工 C IC 机械抛光 机械制造 单晶搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2021/04/06 | 授权 | |
2019/09/27 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 21/304 专利申请号: 201910470483.4 申请日: 2019.05.31 |
2019/09/03 | 公开 |