摘 要:本发明的公开了一种控制二硫化钼薄膜形貌的方法,包括以下步骤:步骤1、将硫粉置于一温区;将三氧化钼粉置于二温区;将衬底放在坩埚表面,然后将坩埚放置在三温区;步骤2、将真空管式炉内抽真空,向真空管式炉中通载气进行清洗;步骤3、继续通所述载气,将二温区加热到150~350℃,将三温区加热到150~350℃;步骤4、设置三温区预蒸发和预成核的温度差为‑150℃~150℃,得气态的MoO3‑x,其中0 著 录 项:
专利/申请号:
CN201710421006.X
专利名称:
一种控制二硫化钼薄膜形貌的方法
申请日:
2017-06-07
申请/专利权人
西安理工大学
专利类型:
发明
地址:
陕西省西安市金花南路5号
专利状态:
已下证
查询审查信息
分类号:
C23C16/30搜分类
塑料 二硫化钼搜索
公开/公告日:
2019-10-25
转让价格:
面议
公开/公告号:
CN107164741B
交易状态:
等待洽谈
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交易方 | 企业 | 个人 |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2019/10/25 | 授权 | |
2017/10/17 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C23C 16/30 专利申请号: 201710421006.X 申请日: 2017.06.07 |
2017/09/15 | 公开 |