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摘 要:本发明公开了一种适用于GCT器件的阶梯型平面终端结构,在芯片的中央区域为有源区,外围区域为终端区,有源区和终端区共同的n-衬底下方依次为n型FS层、p+阳极区及其阳极电极;在有源区中,n-基区中设置有多个并联的单元,每个单元内与n-基区相邻的是波状p-基区,p-基区上面为p+基区,p+基区中间位置设置有一个n+发射区,每个n+发射区上方设置有阴极电极;p+基区上方设置有一个门极电极;在终端区的n-衬底内,设有与有源区内主结的p基区弯曲处相连的两级阶梯型的p型延伸区。本发明还公开了上述的阶梯型平面终端结构的制备方法。本发明的结构有效实现了击穿电压和终端面积的最佳折衷。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201210376053.4 | 专利名称: | 适用于GCT器件的阶梯型平面终端结构及其制备方法 |
申请日: | 2012-09-29 | 申请/专利权人 | 西安理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市金花南路5号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/744搜分类 C CT 器件搜索 |
公开/公告日: | 2013-01-23 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN102891173A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2015/02/18 | 授权 | |
2013/03/06 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 29/744 专利申请号: 201210376053.4 申请日: 2012.09.29 |
2013/01/23 | 公开 |