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摘 要:本发明公开了一种二维等离子体中扩展坐标的完全匹配吸收边界的实现方法,包括以下步骤:输入模型文件;初始化参数以及设置参数;添加场源到磁场分量系数中,并更新计算整个计算区域磁场分量系数;更新计算整个计算区域的电场分量系数;更新计算整个计算区域的中间变量的系数;更新计算整个计算区域的电磁场分量系数的辅助变量;计算观测点的电磁场分量;将p+1赋值给p,并判断p是否达到预设值,若p未达到预设值,则返回步骤3;若p达到预设值时,则结束。本发明的二维等离子体中扩展坐标的完全匹配吸收边界的实现方法,对于低频和凋落波具有更好的吸收效果。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201510144961.4 | 专利名称: | 二维等离子体中扩展坐标的完全匹配吸收边界的实现方法 |
申请日: | 2015-03-30 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G06F19/00搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |