发明专利已授权

二维等离子体中扩展坐标的完全匹配吸收边界的实现方法

Name: 二维等离子体中扩展坐标的完全匹配吸收边界的实现方法
Brand: 西安理工大学
SKU: 2015101449614
Availability: InStock

📄 申请号：CN201510144961.4 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2015-03-30

公开号

CN104750990B

公开日

2017-11-03

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G06F19_00

IPC 分类号

G06F19_00

技术画像

所属领域

计算电磁学计算电磁学吸收边界条件等离子体数值模拟

应用场景

等离子体电磁仿真, 电磁兼容性分析, 雷达散射截面计算, 等离子体天线设计, 科研数值模拟

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摘要

本发明公开了一种二维等离子体中扩展坐标的完全匹配吸收边界的实现方法，包括以下步骤：输入模型文件；初始化参数以及设置参数；添加场源到磁场分量系数中，并更新计算整个计算区域磁场分量系数；更新计算整个计算区域的电场分量系数；更新计算整个计算区域的中间变量的系数；更新计算整个计算区域的电磁场分量系数的辅助变量；计算观测点的电磁场分量；将p+1赋值给p，并判断p是否达到预设值，若p未达到预设值，则返回步骤3；若p达到预设值时，则结束。本发明的二维等离子体中扩展坐标的完全匹配吸收边界的实现方法，对于低频和凋落波具有更好的吸收效果。

常见问题

这项专利是否已经下证？

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20171103

✅ 授权

20150729

?? 实质审查的生效：

20150701

📄 公开

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