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本发明公开了一种等离子体中使用辅助微分方程完全匹配层的实现方法,具体为:步骤1、输入模型文件;步骤2、初始化和设置步骤1模型文件参数;步骤3、利用步骤2参数计算电场分量系数步骤4、利用步骤2参数计算电场分量系数步骤5、利用步骤3和步骤4所得电场分量系数,计算磁场分量系数步骤6、利用步骤3和步骤4所得电场分量系数,计算中间变量系数步骤7、更新计算整个计算区域的电磁场分量系数的辅助变量;步骤8、更新计算观测点处的电磁场分量;步骤9、将q+1赋值给q,并判断q是否达到预设值,若未达到预设值,则返回步骤3,若达到预设值,则结束。本发明计算速度快,内存消耗小,且对于低频和凋落波具有很好的吸收效果。
📄 2016101577265 📂 G06F17_13 👤 西安理工大学 📅 2016-03-18
¥0.0
本发明公开了一种等离子体中使用电流密度卷积完全匹配层的实现方法,包括:输入模型文件;初始化参数、设置PML系数和吸收边界参数;分别更新计算整个计算区域y方向上和x方向上电场分量系数电场分量系数添加场源到磁场分量系数,并更新计算整个计算区域的磁场分量系数;更新计算整个计算区域的极化电流密度更新计算整个计算区域的电磁场分量系数的辅助变量;更新计算观测点处电磁场分量;将q+1赋值给q,并判断拉盖尔多项式的阶数q是否达到预设值,若未达到预设值,返回步骤3;若达到预设值,则结束。本发明的一种等离子体中使用电流密度卷积完全匹配层的实现方法,计算速度快,内存消耗小,且对于低频和凋落波具有很好的吸收效果。
📄 2015101983264 📂 G06F17_50 👤 西安理工大学 📅 2015-04-23
¥0.0
本发明公开了一种二维等离子体中扩展坐标的完全匹配吸收边界的实现方法,包括以下步骤:输入模型文件;初始化参数以及设置参数;添加场源到磁场分量系数中,并更新计算整个计算区域磁场分量系数;更新计算整个计算区域的电场分量系数;更新计算整个计算区域的中间变量的系数;更新计算整个计算区域的电磁场分量系数的辅助变量;计算观测点的电磁场分量;将p+1赋值给p,并判断p是否达到预设值,若p未达到预设值,则返回步骤3;若p达到预设值时,则结束。本发明的二维等离子体中扩展坐标的完全匹配吸收边界的实现方法,对于低频和凋落波具有更好的吸收效果。
📄 2015101449614 📂 G06F19_00 👤 西安理工大学 📅 2015-03-30
¥0.0
发明 已授权
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转让方:××大学
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交易类型:转让
交易金额:¥1,200万

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转让方:××半导体有限公司
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转让方:××科技公司
受让方:××能源集团
交易类型:开放许可
交易金额:¥50万/年