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摘 要:本发明公开了一种基于双极型半导体的光控人工突触及其制备方法,所述基于双极型半导体的光控人工突触包括:半导体层;所述半导体层包括:光致变色化合物和双极型聚合物;其中,所述双极型聚合物的HOMO能级位于开环的光致变色化合物的HOMO能级和闭环的光致变色化合物的HOMO能级之间。通过施加不同波段的光实现了半导体沟道的重构,进而可以实现在相同电压极性下和相同光照波段下沟道导电性的增强或抑制,本发明采用光来重构人工突触,降低了电子突触的能耗,提高了稳定性和重复性,另外,电学端口的缩减有利于操作复杂程度的降低,较好的柔性性能也能实现器件的高机械性。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910791348.X | 专利名称: | 一种基于双极型半导体的光控人工突触及其制备方法 |
申请日: | 2019-08-26 | 申请/专利权人 | 深圳大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省深圳市南山区南海大道3688号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/11搜分类 半导体搜索 |
公开/公告日: | 2021-03-16 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN110690318B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2021/03/16 | 授权 | |
2020/02/11 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 31/11 专利申请号: 201910791348.X 申请日: 2019.08.26 |
2020/01/14 | 公开 |