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摘 要:本发明公开了一种铜铟镓硫微纳二级阵列及其制备方法和应用,所述的微纳二级阵列由在衬底上生长的规则排列的微米级半导体球冠,和球冠表面的半导体纳米片组成。本发明制得的微纳二级阵列由于其特殊的形貌使其具有较同类薄膜更好的光吸收性能。另外,由于纳米片在微米级球冠表面规则排列,使得从各个角度入射的光线都能够得到吸收的同时降低其对光线入射角度的敏感性。该阵列在光伏领域应用时,能够有效增大对太阳光的吸收,降低光生载流子复合率和太阳能电池的使用成本。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202111185605.9 | 专利名称: | 一种铜铟镓硫微纳二级阵列及其制备方法和应用 |
申请日: | 2021-10-12 | 申请/专利权人 | 商丘师范学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 河南省商丘市平原中路55号 |
专利状态: | 授权未缴费 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/032搜分类 半导体搜索 |
公开/公告日: | 2022-01-25 | 转让价格: | 20000.0元 |
公开/公告号: | CN113972291A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |